SV0603N200G0A 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,专为高效率、高频开关应用而设计。该器件采用先进的 GaN 工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合于电源适配器、充电器、DC-DC 转换器以及其他高效能电力电子系统。
相比传统的硅基 MOSFET,GaN 器件在高频和高功率密度应用场景中表现出明显优势,能够显著提高系统的效率并减小体积和重量。
型号:SV0603N200G0A
类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压 (Vds):200V
最大栅极驱动电压 (Vgs):+6V/-4V
连续漏极电流 (Id):8A
导通电阻 (Rds(on)):120mΩ
总栅极电荷 (Qg):35nC
开关频率:高达 5MHz
封装形式:LLP6x5 封装
1. 高效性能:得益于氮化镓材料的独特属性,SV0603N200G0A 具有更低的导通电阻和更少的能量损耗,从而实现了更高的效率。
2. 快速开关能力:该器件支持高达 5MHz 的开关频率,非常适合高频应用场合。
3. 紧凑设计:由于其高效的热管理和高频工作能力,使用 SV0603N200G0A 可以显著减少外部无源元件的数量和尺寸,从而实现更紧凑的设计。
4. 热稳定性强:具备良好的散热性能,在高温条件下仍能保持稳定运行。
5. 易于驱动:较低的栅极驱动需求简化了驱动电路设计,降低了整体系统复杂度。
1. 开关电源 (SMPS)
2. USB PD 快充模块
3. DC-DC 转换器
4. 无线充电设备
5. LED 驱动器
6. 激光雷达 (LiDAR) 系统
7. 其他需要高频、高效率功率转换的应用场景
SV0603N200G1A, EPC2052, GS66508B