时间：2025/6/18 9:12:19
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BSC031N06NS3 G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效能电源转换、电机驱动和负载开关等应用。其封装形式为 TO-Leadless（TOLL），有助于提高散热性能和节省 PCB 空间。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.1mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：48nC（典型值）
输入电容：2500pF（典型值）
总功率耗散：174W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
BSC031N06NS3 G 提供了非常低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了整体效率。
该器件的快速开关能力使得它在高频开关应用中表现出色。
通过使用沟槽技术，芯片能够在小尺寸封装内实现大电流承载能力。
其较高的工作温度范围使其适合各种恶劣环境下的应用。
TO-Leadless 封装增强了热性能，并且由于无引脚设计，降低了寄生电感的影响。
BSC031N06NS3 G 广泛应用于直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车窗控制器、制动系统以及各种工业电机驱动场景。
此外，它也适用于需要高效负载切换和保护功能的应用领域，例如服务器电源管理模块或消费类电子设备中的充电电路。
BSC030N06NS3 G, BSC032N06NS3 G
