VND5E025MK 时间：2025/6/30 21:15:25 阅读：3

VND5E025MK 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于中高压应用场合。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源等领域。
　　其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体以厂商提供的数据为准。VND5E025MK 的设计注重高效能与稳定性，能够满足多种工业和消费类电子产品的严格要求。

参数

最大漏源电压：250V
　　最大连续漏极电流：5A
　　最大栅极阈值电压：4V
　　导通电阻（典型值）：1.2Ω
　　总功耗：125W
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃

特性

VND5E025MK 具有以下显著特点：
　　1. 高耐压能力，适合需要处理较高电压的电路。
　　2. 极低的导通电阻，减少了功率损耗并提升了效率。
　　3. 快速开关性能，有助于降低开关损耗并提升整体系统效率。
　　4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能可靠运行。
　　5. 小型化封装选项，便于设计紧凑型产品。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且支持现代绿色设计需求。

应用

VND5E025MK 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
　　2. 直流-直流转换器，用于便携式设备和汽车电子。
　　3. 电机驱动，包括家用电器中的小型电机控制。
　　4. 电池保护和负载切换。
　　5. 工业自动化中的各种功率控制模块。
　　6. LED 照明驱动电路。