类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：47A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值0.018Ω（在Vgs=10V）
　　功率耗散(Pd)：170W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

FQB047N10 功率MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，使其在高电流条件下具有优异的导通性能和低损耗特性。其低Rds(on)特性不仅降低了导通损耗，还能减少功率器件的温升，提高整体系统效率。此外，该器件的高栅极电荷（Qg）优化了开关速度，从而减少了开关损耗，并有助于提高电源转换器的开关频率。FQB047N10还具有较高的热稳定性，能够适应严苛的工业和汽车应用环境。该MOSFET具备良好的短路耐受能力，确保在异常工作条件下依然保持稳定运行。
　　在封装方面，FQB047N10采用了TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计和自动化贴片工艺。这种封装形式也使得该器件在散热设计上更加灵活，可以通过PCB上的大面积铜箔进行散热管理。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的电子产品设计。

FQB047N10 主要应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及各种工业自动化和汽车电子控制系统。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换场合，例如服务器电源、通信设备电源、电动工具、电动车控制器等。在汽车电子领域，FQB047N10可用于车载逆变器、车载充电器（OBC）以及发动机控制模块中的功率开关元件。

FQA47N10、IRF3710、FDS4717、SiHH47N10