时间：2025/9/14 6:31:17
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PBLS2003D,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理、开关电源和负载开关等应用。该器件采用小型的 TSOP 封装（也称为 TSSOP 封装），具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效、紧凑设计的电子产品。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：6.2 A（在 25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大 23 mΩ（在 VGS = 10 V）
功率耗散（PD）：3.8 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TSOP（TSSOP）
PBLS2003D,115 的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在 VGS = 10 V 时，RDS(on) 的最大值为 23 mΩ，使其适用于高电流应用。此外，该 MOSFET 具有快速开关能力，降低了开关损耗，提高了整体性能。
另一个重要特性是其高栅极电压容限，允许在 ±20 V 的范围内工作，从而提高了在高噪声环境下的稳定性。TSOP 封装提供了良好的热管理能力，使得在高负载条件下仍能保持较低的温升。
该器件符合 RoHS 标准，无卤素，适用于对环保要求较高的应用场合。
PBLS2003D,115 常用于多种电源管理场景，包括 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制电路。由于其低导通电阻和高效率，它也广泛应用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）的电源管理模块中。此外，该 MOSFET 可用于 LED 驱动器、热插拔电路和工业控制系统中的开关电路。
PMBL2003D,115 / PBLM2003D,115
