时间：2025/6/30 10:39:51
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VNB35N07TR 是一款 N 沣道沟增强型场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-263 封装形式。该器件适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等功率电子应用，其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效功率转换的理想选择。
该 MOSFET 的最大额定电压为 70V，具有较低的导通电阻，从而减少传导损耗并提高整体效率。此外，其出色的开关性能和耐用性使得 VNB35N07TR 在多种工业和消费类电子应用中表现优异。
最大漏源极电压：70V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：19nC
输入电容：1520pF
总功耗：130W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
VNB35N07TR 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，适合现代高效功率转换应用。
3. 高电流处理能力，可承受高达 38A 的连续漏极电流。
4. 高温稳定性，能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内可靠运行。
5. TO-263 封装设计，提供良好的散热性能和易于集成的解决方案。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球市场的法规要求。
VNB35N07TR 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC 转换器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路
7. 太阳能逆变器及能量存储系统
VNQ35N07LH, IRFZ44N, FDP16N07
