H5PS1G63EFR-S6 时间：2025/9/2 7:12:23 阅读：13

H5PS1G63EFR-S6 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一种高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）芯片，专为高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能加速器等需要极高内存带宽的应用而设计。该型号属于HBM的第一代产品，采用堆叠式封装技术，能够提供比传统GDDR或DDR内存更高的带宽和更小的体积。H5PS1G63EFR-S6的容量为1GB，具有宽总线接口，支持高频率运行，以满足对内存速度和容量的严苛需求。

参数

制造商：SK Hynix
　　产品类型：高带宽内存（HBM）
　　型号：H5PS1G63EFR-S6
　　容量：1GB
　　接口类型：堆叠式3D TSV（Through-Silicon Via）
　　数据速率：1024 Mbps
　　电压：1.8V
　　封装类型：FCBGA（Flip Chip Ball Grid Array）
　　引脚数：1024
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：根据HBM标准

特性

H5PS1G63EFR-S6 的核心特性之一是其采用3D堆叠技术（TSV，Through-Silicon Via），将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，显著提高了内存密度和带宽。相比传统的GDDR5或DDR4内存，HBM技术允许更宽的总线宽度（通常为1024位），从而实现极高的数据传输速率。该芯片的运行频率高达1024 Mbps，带宽可达到128 GB/s（每秒千兆字节），非常适合需要大量数据并行处理的应用场景。
　　此外，H5PS1G63EFR-S6 采用低功耗设计，工作电压为1.8V，能够在高性能运行的同时保持相对较低的能耗。其紧凑的封装形式（FCBGA）和与GPU或其他计算单元的近封装设计（near-package integration）使其能够有效减少信号路径长度，从而降低延迟和功耗，提高整体系统性能。
　　该芯片还具备良好的热管理和电气性能，适用于高温环境下的稳定运行。其1024位的宽总线接口和高数据速率使其在图形渲染、深度学习训练、高性能计算等应用中表现出色。

应用

H5PS1G63EFR-S6 主要用于高端图形处理器（GPU）、人工智能加速卡、高性能计算（HPC）系统、数据中心加速器以及需要高带宽内存的嵌入式系统。由于其极高的带宽和紧凑的封装形式，该芯片广泛应用于NVIDIA、AMD等公司的高端显卡和计算加速设备中，用于支持复杂的图形渲染、深度学习训练、大规模并行计算等任务。此外，该芯片也适用于虚拟现实（VR）、增强现实（AR）、4K/8K视频处理等对内存带宽要求极高的新兴应用领域。