MGA2815DZ/883 时间：2025/8/28 15:49:06 阅读：3

MGA2815DZ/883 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology 旗下品牌）制造的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），专为高频、低噪声放大应用设计。该器件采用 PHEMT（伪高电子迁移率晶体管）技术，具有优异的噪声性能和增益特性，广泛应用于无线通信、雷达、测试设备以及其他高频电子系统中。

参数

工作频率：2 - 18 GHz
　　增益：典型值 18 dB @ 12 GHz
　　噪声系数：典型值 0.65 dB @ 12 GHz
　　输出功率：最大 24 dBm
　　电源电压：7 V @ 70 mA
　　封装类型：DIP，陶瓷封装
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C

特性

MGA2815DZ/883 采用了先进的 PHEMT 技术，确保在宽频范围内具有出色的噪声性能和增益稳定性。该器件的工作频率范围为 2 GHz 至 18 GHz，使其适用于多种高频应用场景。其典型噪声系数仅为 0.65 dB，特别适合对噪声要求极高的低噪声放大器设计。此外，该晶体管的增益表现优异，在 12 GHz 频率下典型增益可达 18 dB，有助于提高系统整体的信号放大能力。
　　该器件采用 7 V 电源供电，静态工作电流为 70 mA，功耗适中，适合高性能和高稳定性要求的应用场景。其陶瓷 DIP 封装不仅提供了良好的热稳定性，还增强了高频信号传输的可靠性。MGA2815DZ/883 支持宽温范围工作（-55°C 至 +125°C），适用于航空航天、军事和工业等严苛环境中的应用。
　　该晶体管的高线性度和稳定性使其在高精度测试仪器、卫星通信、雷达接收机以及宽带放大器中表现出色。由于其出色的电气性能和机械结构设计，MGA2815DZ/883 在高频放大领域具有较高的可靠性和长期稳定性。