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HY27UV08BG5M 发布时间 时间:2025/9/2 5:03:44 查看 阅读:7

HY27UV08BG5M 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片,属于其早期的NAND闪存产品系列之一。该芯片具有较高的存储密度和可靠性,适用于需要非易失性存储解决方案的各种应用。HY27UV08BG5M采用8位数据总线接口,支持常见的NAND闪存操作命令,具备较高的读写速度和耐用性。该芯片广泛应用于消费类电子产品、嵌入式系统和工业控制设备中。

参数

容量:512MB
  接口类型:8位NAND闪存接口
  电压范围:2.7V至3.6V
  封装类型:TSOP
  最大读取速度:50MB/s
  最大写入速度:20MB/s
  擦除时间:2ms(典型值)
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

HY27UV08BG5M NAND闪存芯片具备多项显著特性,适用于多种嵌入式存储场景。首先,其采用了NAND闪存技术,具备非易失性存储能力,能够在断电情况下保持数据完整性。该芯片的容量为512MB,适用于中等规模数据存储需求。接口方面,HY27UV08BG5M使用标准的8位并行NAND接口,支持与控制器之间的高效数据传输。此外,该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V,适应多种电源设计需求,具备良好的电源兼容性。
  在性能方面,HY27UV08BG5M的最大读取速度可达50MB/s,写入速度约为20MB/s,能够满足一般嵌入式系统的存储读写需求。擦除操作的典型时间为2ms,表现出较快的擦写效率。为了确保长期使用的可靠性,该芯片支持多达10万次的编程/擦除周期(P/E Cycle),并具备错误校验和纠正(ECC)功能,以提升数据完整性。
  封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于表面贴装工艺,适合嵌入到紧凑型电子设备中。其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,可在较为恶劣的环境下稳定运行。HY27UV08BG5M在设计上兼顾了性能、可靠性和成本效益,使其成为早期嵌入式系统、MP3播放器、数码相机、工业控制设备等应用的理想选择。

应用

HY27UV08BG5M NAND闪存芯片因其良好的性能和可靠性,广泛应用于多个领域。在消费电子产品中,该芯片可用于MP3播放器、数码相机、电子书阅读器和便携式游戏设备,用于存储操作系统、应用程序及用户数据。在嵌入式系统中,HY27UV08BG5M常用于工业控制设备、智能家电、数据采集设备和自动化仪表,作为固件存储和数据缓存的介质。此外,该芯片也适用于网络设备,如路由器和网络存储设备,用于保存配置文件和启动代码。由于其宽温度范围和高耐用性,HY27UV08BG5M也适用于一些工业和车载环境,如车载导航系统、车载记录仪和工业计算机。

替代型号

K9F5608U0C, K9F1G08U0B, NAND512R3A

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