您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXSK35N120BD1

IXSK35N120BD1 发布时间 时间:2025/8/6 10:06:25 查看 阅读:28

IXSK35N120BD1是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流双极型晶体管(BJT),专门设计用于高功率应用。这款晶体管采用了先进的硅技术,具有优异的热稳定性和可靠性。其主要特点包括高击穿电压(1200V)、大额定电流(35A)以及低饱和压降(Vce_sat)。该器件非常适合用于工业电源、电机控制、逆变器和高功率开关电路等应用场景。

参数

晶体管类型:NPN双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
  最大集电极电流(Ic):35A
  最大基极电流(Ib):1.75A
  最大耗散功率(Ptot):250W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  存储温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247
  低饱和压降(Vce_sat):典型值为1.6V(在Ic=35A时)
  增益(hFE):典型值为20(在Ic=35A,Vce=5V时)

特性

IXSK35N120BD1具有多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该晶体管的高击穿电压(1200V)使其能够承受高压应力,适用于需要高电压隔离的应用场景。其次,其额定集电极电流为35A,能够处理较大的负载电流,适合高功率开关和电机控制等应用。此外,该器件的低饱和压降(Vce_sat)降低了导通损耗,提高了整体系统效率。饱和压降的降低也有助于减少散热需求,提高系统的可靠性和寿命。
  该晶体管采用TO-247封装,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。其封装设计也便于安装在散热器上,确保在高电流工作条件下的稳定运行。IXSK35N120BD1的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,使其能够在各种恶劣环境条件下正常工作。
  此外,该晶体管的增益(hFE)表现稳定,典型值为20,这使得它在开关应用中具有良好的响应特性和控制能力。其基极电流额定值为1.75A,允许在高电流应用中实现有效的基极驱动控制。总的来说,IXSK35N120BD1以其高可靠性、高效率和优异的电气性能,成为工业电源、逆变器、电机控制和高功率开关电路的理想选择。

应用

IXSK35N120BD1广泛应用于多个高功率电子系统中。首先,它常用于工业电源系统,如不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS),用于提供高电压和大电流的转换能力。其次,在电机控制领域,该晶体管可以用于驱动直流电机和步进电机,提供稳定的电流控制能力。此外,它也适用于逆变器设计,如太阳能逆变器和电机驱动逆变器,用于将直流电源转换为交流电源。在高功率开关电路中,IXSK35N120BD1可以用于控制大功率负载的开关操作,如电加热器、电磁阀和高功率LED驱动系统。此外,该器件还可以用于焊接设备、电镀设备和高功率测试设备等应用,提供可靠的高功率开关和电流控制能力。

替代型号

IXSK35N120CD1, IXSK30N120BD1, IXSK45N120BD1

IXSK35N120BD1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXSK35N120BD1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXSK35N120BD1参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.6V @ 15V,35A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)70A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264AA
  • 包装管件