IXSK35N120BD1是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流双极型晶体管(BJT),专门设计用于高功率应用。这款晶体管采用了先进的硅技术,具有优异的热稳定性和可靠性。其主要特点包括高击穿电压(1200V)、大额定电流(35A)以及低饱和压降(Vce_sat)。该器件非常适合用于工业电源、电机控制、逆变器和高功率开关电路等应用场景。
晶体管类型:NPN双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
最大集电极电流(Ic):35A
最大基极电流(Ib):1.75A
最大耗散功率(Ptot):250W
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
低饱和压降(Vce_sat):典型值为1.6V(在Ic=35A时)
增益(hFE):典型值为20(在Ic=35A,Vce=5V时)
IXSK35N120BD1具有多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该晶体管的高击穿电压(1200V)使其能够承受高压应力,适用于需要高电压隔离的应用场景。其次,其额定集电极电流为35A,能够处理较大的负载电流,适合高功率开关和电机控制等应用。此外,该器件的低饱和压降(Vce_sat)降低了导通损耗,提高了整体系统效率。饱和压降的降低也有助于减少散热需求,提高系统的可靠性和寿命。
该晶体管采用TO-247封装,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。其封装设计也便于安装在散热器上,确保在高电流工作条件下的稳定运行。IXSK35N120BD1的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,使其能够在各种恶劣环境条件下正常工作。
此外,该晶体管的增益(hFE)表现稳定,典型值为20,这使得它在开关应用中具有良好的响应特性和控制能力。其基极电流额定值为1.75A,允许在高电流应用中实现有效的基极驱动控制。总的来说,IXSK35N120BD1以其高可靠性、高效率和优异的电气性能,成为工业电源、逆变器、电机控制和高功率开关电路的理想选择。
IXSK35N120BD1广泛应用于多个高功率电子系统中。首先,它常用于工业电源系统,如不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS),用于提供高电压和大电流的转换能力。其次,在电机控制领域,该晶体管可以用于驱动直流电机和步进电机,提供稳定的电流控制能力。此外,它也适用于逆变器设计,如太阳能逆变器和电机驱动逆变器,用于将直流电源转换为交流电源。在高功率开关电路中,IXSK35N120BD1可以用于控制大功率负载的开关操作,如电加热器、电磁阀和高功率LED驱动系统。此外,该器件还可以用于焊接设备、电镀设备和高功率测试设备等应用,提供可靠的高功率开关和电流控制能力。
IXSK35N120CD1, IXSK30N120BD1, IXSK45N120BD1