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TGF2023-01 发布时间 时间:2025/5/8 8:43:04 查看 阅读:23

TGF2023-01是一种高性能的射频功率晶体管,广泛应用于无线通信系统中的功率放大器设计。该晶体管采用了先进的半导体制造工艺,确保了在高频段下的高效能量转换和稳定的性能表现。
  这种晶体管的设计注重散热性能和可靠性,在高负载条件下依然能够保持较低的失真率和较高的线性度,非常适合用于基站、雷达以及各类无线发射设备。

参数

最大功率:500W
  工作频率范围:30MHz-300MHz
  增益:20dB
  效率:70%
  电源电压:28V
  工作温度范围:-40℃至+100℃

特性

TGF2023-01的核心优势在于其卓越的高频性能和强大的输出能力。该器件采用专有的异质结双极型晶体管(HBT)技术,使得其能够在较宽的频率范围内维持高增益和高效率。
  此外,TGF2023-01还具有出色的线性度和低互调失真特性,这对于现代通信系统中的多载波应用至关重要。为了提升产品的耐用性,该晶体管还经过了严格的环境测试,包括高温老化和机械冲击测试,从而保证了其长期稳定的工作性能。
  封装方面,TGF2023-01使用了一种高效的金属陶瓷封装形式,有助于优化热管理并减少寄生效应。这使得它即使在极端工作条件下也能够提供可靠的性能。

应用

TGF2023-01适用于多种高频功率放大的应用场景,包括但不限于:
  - 无线通信基站中的功率放大器模块
  - 民用及军用雷达系统的发射机部分
  - 短波广播设备
  - 医疗成像设备中的射频源
  - 测试与测量仪器中的信号发生器组件
  由于其大功率处理能力和广泛的频率覆盖范围,TGF2023-01成为了众多需要高可靠性和高效率射频功率解决方案的理想选择。

替代型号

TGF2019-02
  TGF2022-03

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TGF2023-01参数

  • 制造商TriQuint
  • 产品种类射频GaAs晶体管
  • 技术类型HEMT
  • 频率18 GHz
  • 增益15 dB
  • 漏源电压 VDS40 V
  • 闸/源击穿电压- 3 V
  • 漏极连续电流375 mA
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体2-Pin-Die
  • P1dB38 dBm
  • 零件号别名1068837