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2SK2024 发布时间 时间:2025/8/9 13:05:16 查看 阅读:17

2SK2024 是一款由日本东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效开关和功率控制的电子设备中。该器件采用高密度单元设计,具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理以及各种开关电源应用。2SK2024通常采用TO-220或TO-252等封装形式,便于散热并适用于高功率应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID):15A(连续)
  导通电阻(RDS(on)):约0.04Ω(典型值,VGS=10V)
  功率耗散(PD):30W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220、TO-252

特性

2SK2024 具备多项优异的电气和物理特性,使其在功率MOSFET领域中具有较高的竞争力。首先,它的低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,特别适用于高频开关应用。其次,该器件具备较高的耐压能力,漏源电压可达60V,能够承受一定的电压应力,提高系统的稳定性和可靠性。
  此外,2SK2024具有较大的漏极电流承载能力,连续漏极电流为15A,适用于中高功率负载。其栅极驱动电压范围较宽(通常为+10V至+20V),便于与各种驱动电路兼容。同时,MOSFET的开关速度快,响应时间短,有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。
  在热性能方面,2SK2024采用TO-220或TO-252封装,具有良好的散热能力,适用于高功率密度设计。其工作温度范围宽,可在-55°C至+150°C之间稳定工作,适应各种恶劣环境。此外,该器件具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性,进一步增强了其在高可靠性系统中的适用性。

应用

2SK2024 主要应用于需要高效功率控制和开关操作的电子设备中。常见的应用场景包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统等。
  在开关电源领域,2SK2024 常用于同步整流电路或主开关电路,以提高转换效率并减少发热。在DC-DC转换器中,它可作为高侧或低侧开关,实现电压调节和能量传输。在电机控制应用中,该器件用于H桥电路或PWM控制,提供精确的转速和方向控制。
  此外,2SK2024 还广泛应用于电池供电设备中的负载开关,以实现低功耗模式和电源管理功能。其高可靠性和良好热性能也使其适用于汽车电子、通信设备、消费类电子产品以及工业控制系统等领域。

替代型号

2SK2023, 2SK2025, IRFZ44N, FDP6030L, FDS6680

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