时间：2025/11/11 11:33:30
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CL21C3R3BBANNNC是韩国三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC，Multilayer Ceramic Capacitor）。该器件属于超小型、高稳定性的表面贴装电容，广泛应用于各类高性能电子设备中。型号中的编码遵循三星的标准命名规则：'CL'代表陶瓷电容，'21'表示其封装尺寸为0805（公制2012），'C'表示额定电压为50V，'3R3'表示电容值为3.3pF（R代表小数点），'B'表示温度特性为C0G（NP0），即具有极佳的温度稳定性，'BA'可能与端接结构或电极材料有关，'N'表示无铅设计，'NC'通常表示无卤素且符合RoHS环保标准。该电容器采用C0G（NP0）介质材料，具备极低的介电损耗和几乎为零的容量随温度变化率，适用于对信号完整性要求极高的射频（RF）、高频模拟电路及精密定时电路中。
电容值：3.3pF
容差：±0.1pF
额定电压：50V DC
温度特性：C0G (NP0)
容量温度系数：0 ±30ppm/°C
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
介质材料：陶瓷（C0G类）
端接类型：镍阻挡层+锡外涂层（Ni-Sn）
RoHS合规性：是
无卤素：是
CL21C3R3BBANNNC所采用的C0G（NP0）陶瓷介质赋予了它卓越的电气稳定性，这是其最核心的优势之一。C0G材料是一种Class I型陶瓷，具有极其稳定的介电常数，其容量随温度的变化率仅为±30ppm/°C，在-55°C到+125°C的整个工作范围内，容量基本保持不变。这种高度的稳定性使其在温度波动剧烈的环境中依然能够提供精确的电容性能，避免了因温漂导致的电路失谐或性能下降。此外，该电容器的容量不随施加的直流偏压而变化，这与X7R、X5R等高介电常数但非线性的介质材料形成鲜明对比。在高频应用中，C0G电容表现出非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而拥有优异的高频响应特性，适合用于射频匹配网络、振荡器、滤波器和谐振电路中，能有效减少信号损失并提高系统Q值。
该器件的容差控制在±0.1pF，精度极高，满足对微小电容值有严格要求的应用场景，例如毫米波通信、高速数据传输线路的阻抗匹配以及精密传感器接口电路。其50V的额定电压在同类小容量电容中属于较高水平，增强了电路设计的安全裕度。CL21C3R3BBANNNC采用标准的0805表面贴装封装，兼容自动化贴片工艺，便于大规模生产。其无铅（Pb-free）和无卤素（Halogen-free）的设计符合现代电子产品严格的环保法规要求，如RoHS和REACH指令。机械强度方面，该电容经过优化设计，具有良好的抗弯曲和抗热冲击能力，降低了在PCB组装和使用过程中因机械应力导致开裂的风险。总体而言，这款电容器以其高精度、高稳定性和高可靠性，成为高端消费电子、工业控制、汽车电子和通信基础设施等领域中不可或缺的基础元件。
CL21C3R3BBANNNC因其出色的电气特性和稳定性，被广泛应用于对性能要求严苛的电子系统中。在射频（RF）和无线通信领域，它常用于智能手机、基站、Wi-Fi模块和物联网（IoT）设备中的RF匹配网络，用于调节天线输入阻抗，最大化功率传输效率，并抑制杂散发射。由于其C0G介质在高频下损耗极低，也常被用作RF滤波器、LC谐振电路和压控振荡器（VCO）中的关键电容元件，确保频率的长期稳定性和相位噪声的最小化。在高速数字电路中，该电容可用于时钟信号路径的耦合与去耦，保证时序精度，防止抖动累积。在精密模拟电路中，如高精度ADC/DAC前端、运算放大器反馈网络和有源滤波器中，其稳定的电容值可确保增益和截止频率的准确性。此外，在汽车电子系统中，包括ADAS（高级驾驶辅助系统）、车载信息娱乐系统和动力总成控制单元，该电容能够在宽温度范围内可靠工作，满足AEC-Q200等车规级可靠性标准的要求。工业自动化设备、医疗电子仪器以及测试与测量设备也大量采用此类高稳定性电容，以保障系统在复杂电磁环境下的长期稳定运行。
GRM21BR71H3R3BA01D, C2012X5S1H3R3B116K, 08055C3R3B4Z2A
