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VN5770AKPTR-E 发布时间 时间:2024/8/19 14:59:31 查看 阅读:140

VN5770AKP-E是由三个单片芯片组成的器件,封装在标准SO-28封装中:一个双高端开关和两个低端开关。双高压侧采用意法半导体?VIPower?M0-5技术制造,而低压侧开关则采用完全保护的VIPower M0-3 OMNIFET II。该装置适用于驱动桥式配置的直流电机,也可用作任何低压应用的四路开关。双高端开关集成了内置的具有热滞后的非闭锁热关断功能。输出限流器在过载条件下保护设备。在长时间过载的情况下,该设备将耗散功率限制在安全水平,直至热停机干预。模拟电流感测引脚提供与负载电流成比例的电流(根据已知比率),并通过电压标志指示相关高压侧开关的超温关闭。低压侧开关内置了具有热滞后、线性电流限制和过电压箝位的非闭锁热关断功能。低压侧开关过热停机的故障反馈由相关输入引脚电流消耗上升到故障吸收电流标志表示。

应用说明

全桥或半桥配置的直流电机驱动
  所有类型的电阻性、电感性和电容性负载

技术参数

输出接口数:4
  输出电流:12 A
  耗散功率:4000 mW
  输出电流(Max):12 A
  输入数:4
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-40℃
  耗散功率(Max):4000 mW
  电源电压:4.5V~36V

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:28
  封装:SOIC-28

其他说明

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)
  制造应用:DC电机,通用,继电器

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VN5770AKPTR-E参数

  • 其它有关文件VN5770AKP-E View All Specifications
  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列OMNIFET II™, VIPower™
  • 类型半桥
  • 输入类型非反相
  • 输出数4
  • 导通状态电阻160 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道6A
  • 电流 - 峰值输出-
  • 电源电压4.5 V ~ 36 V
  • 工作温度-40°C ~ 150°C
  • 安装类型*
  • 封装/外壳*
  • 供应商设备封装*
  • 包装*