容量：16M x 18（256MB）
　　组织结构：x18
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55ns（最大）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54-pin
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　内存类型：DRAM
　　数据总线宽度：18位
　　刷新周期：64ms

H5DU5182ETR-F 的核心特性之一是其高容量和高速度，适用于需要大量数据缓存和快速存取的应用场景。该芯片采用16M x 18的存储结构，总容量为256MB，支持18位数据总线宽度，能够满足高性能系统对内存带宽的需求。其访问时间仅为55ns，确保了快速的数据响应能力，适用于高速缓冲存储器或主存储器应用。
　　该DRAM芯片支持166MHz的时钟频率，能够提供较高的数据传输速率，适用于需要高性能内存支持的嵌入式系统和工业设备。此外，H5DU5182ETR-F 工作电压范围为2.3V至3.6V，具备较宽的电源适应范围，适用于多种电源管理设计，同时在低电压环境下仍能保持稳定运行。
　　采用TSOP封装（54引脚），H5DU5182ETR-F 在空间受限的应用中提供了良好的封装适应性，并具备良好的散热性能。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于严苛环境下的电子设备，如工业控制、车载系统、通信设备等。
　　该芯片还支持标准的DRAM控制信号，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE）等，便于与各种主控芯片或FPGA/CPLD进行连接。此外，H5DU5182ETR-F 支持自动刷新和自刷新模式，有助于降低系统功耗并延长数据保持时间，适合需要长时间运行的设备。

H5DU5182ETR-F 主要应用于需要高性能、低功耗DRAM存储的电子设备，包括工业控制系统、嵌入式系统、网络路由器与交换机、视频处理设备、图像采集系统以及便携式电子产品等。由于其高速数据存取能力和宽电压范围，该芯片也常用于需要实时数据处理的高端嵌入式设备，如数字信号处理器（DSP）、FPGA开发板和智能卡终端等。此外，该芯片也适用于需要较大内存容量的工业自动化设备和通信模块。

H5DU51822GTR-F、H5DU51823GTR-F、H5DU2562ETR-F