时间：2025/6/26 20:40:25
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GA0402H152MXXAC31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频和高效率的电源转换应用。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）设计，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力。其封装形式为紧凑型表面贴装，适合高密度设计需求。
这款 GaN 晶体管在设计上针对高性能 AC-DC 和 DC-DC 转换器进行了优化，广泛应用于服务器电源、通信电源、消费类快充适配器以及工业电源等领域。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：9A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：75nC
反向恢复时间：<10ns
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
GA0402H152MXXAC31G 的主要特性包括：
1. 采用先进的氮化镓材料，具备卓越的高频性能和效率表现。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度和极小的反向恢复时间，减少开关损耗。
4. 高击穿电压（650V），确保系统可靠性。
5. 内置保护功能，如短路保护和过温保护，提升使用安全性。
6. 小型化封装设计，便于高密度电路布局。
7. 支持硬开关和软开关拓扑，灵活性强。
该芯片适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的 PFC（功率因数校正）级和主功率级。
2. USB PD 快速充电器和适配器。
3. 数据中心及通信设备中的高效电源模块。
4. 工业电机驱动和逆变器控制。
5. 其他需要高效率、高频工作的电力电子系统。
GAN041-650WSA
GAN042-650WSB
Transphorm TP65H030WS
Infineon CoolGaN IGT60R070D1
