容量：8GB
　　工艺制程：43nm
　　封装类型：TQFP
　　引脚数量：52-pin
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　最大读取速度：50ns
　　最大写入速度：50ns
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H27UBG8U5MTRBC 是一款高性能的NAND闪存芯片，具备高存储密度和稳定的数据存储能力。该芯片采用了先进的43nm制造工艺，使其在保持高性能的同时降低功耗，适用于各种便携式设备和嵌入式系统。其52引脚的TQFP封装形式，便于集成在电路板上，并具有良好的热稳定性和机械可靠性。
　　此外，H27UBG8U5MTRBC支持快速的读写周期，最大访问速度可达50ns，满足对数据访问速度有一定要求的应用场景。其宽电压范围（2.3V至3.6V）使得该芯片可以适应不同的电源设计，增强了系统的兼容性和灵活性。该芯片还具备较强的抗干扰能力，在复杂电磁环境下仍能稳定运行。
　　为了延长使用寿命，H27UBG8U5MTRBC内置了错误校正机制（ECC）和磨损均衡技术，确保在频繁读写操作下的数据完整性和存储可靠性。这些特性使得该芯片成为工业控制、车载系统、通信设备和消费类电子产品中的理想选择。

H27UBG8U5MTRBC 主要应用于需要高容量、高速度和高可靠性的存储系统中。典型应用包括嵌入式存储器、工业计算机、固态硬盘控制器、车载导航系统、智能卡设备、数据采集系统以及各种消费类电子产品。该芯片的高稳定性和低功耗特性也使其适用于电池供电设备，如手持终端、穿戴设备和物联网（IoT）设备。

H27UCG8T2MYRBC, H27UCG8V5MTR-BC, H27U1G8F5DTR-BC