时间：2025/6/19 6:46:20
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SIR866DP-T1-GE3 是一款基于 Vishay 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了小型化的封装形式 (PowerPAK SC-70)，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。由于其卓越的电气性能，这款芯片广泛应用于便携式设备、计算机外设以及通信系统中的负载开关、DC/DC 转换器等电路。
其主要特点包括极低的导通电阻、出色的开关速度和高可靠性。此外，SIR866DP-T1-GE3 支持高达 30V 的工作电压，同时能够在高频条件下保持高效的运行。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：5.5mΩ
总电荷量：10nC
栅极电荷：3.9nC
开关速度：非常快
结温范围：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下仅为 5.5mΩ，可显著降低功耗。
2. 小型化封装 PowerPAK SC-70，节省 PCB 空间，非常适合对尺寸敏感的设计。
3. 高效率支持高频应用，适合用于同步整流、负载开关和 DC/DC 转换器。
4. 低栅极电荷设计，减少驱动损耗并提高整体能效。
5. 工作温度范围广，能够适应多种环境条件下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. 移动设备中的负载开关控制。
2. 同步降压转换器的核心功率级元件。
3. 多种电源管理模块，例如笔记本电脑适配器和 USB-PD 接口。
4. 通信设备中的信号调节与保护。
5. 工业自动化系统中高密度电源设计。
6. 电池供电系统中的高效能量传输路径管理。
SIR866DPTRPBF, SIR866DP-E3
