HM534251BZ-8 时间：2025/9/7 18:20:02 阅读：25

HM534251BZ-8 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于高速DRAM存储器类别，广泛用于需要大容量存储和快速数据访问的应用场景。HM534251BZ-8 的容量为256K x 4位，工作电压为5V，并采用标准的TSOP（薄型小外形封装）封装形式。该芯片设计用于工业级应用，具备良好的稳定性和耐用性，适用于各类嵌入式系统、通信设备和消费类电子产品。

参数

容量：256K x 4位
　　组织方式：1Mbit（256K x 4）
　　电源电压：5V ± 10%
　　访问时间：8ns（最大）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：32
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　最大工作频率：125MHz
　　刷新方式：自动刷新/自刷新
　　数据输入/输出方式：异步模式

特性

HM534251BZ-8 是一款高性能的DRAM芯片，具备快速访问时间和低功耗特性，适合高密度存储应用。该芯片采用CMOS工艺制造，能够在高速运行下保持较低的功耗。其异步控制接口允许与多种主控器兼容，适用于各种嵌入式系统和工业控制设备。
　　这款DRAM芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够有效延长数据保存时间，同时减少外部控制器的负担。其TSOP封装设计不仅节省空间，而且提高了封装密度，适合紧凑型电子设备的设计需求。
　　在性能方面，HM534251BZ-8 支持高达125MHz的工作频率，确保数据快速读写，适用于需要快速响应的实时系统。其5V电源设计提供了良好的电压兼容性，能够与多种逻辑电平系统配合使用，提高了设计灵活性。
　　此外，该芯片具备高可靠性和稳定性，适用于长期运行的工业和通信设备。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种严苛环境下的应用，如工业自动化、通信基站和嵌入式计算平台等。