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VN540 发布时间 时间:2025/5/9 18:10:39 查看 阅读:29

VN540是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种功率转换和开关应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:1.9A
  导通电阻:0.17Ω
  功耗:1.1W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

VN540具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 小型封装设计,节省电路板空间。
  4. 增强的热稳定性,能够承受较高环境温度。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  6. 静电防护能力较强,有助于提高可靠性。

应用

VN540适用于以下典型应用:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 直流电机驱动和负载开关。
  3. 电池保护和管理系统。
  4. 背光LED驱动器。
  5. 各种便携式设备的电源管理方案。
  6. 工业自动化中的信号隔离与功率控制。

替代型号

VN541, VN542

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VN540参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类功率驱动器IC
  • 类型High Side Smart Power Solid State Relay
  • 电源电流3 mA
  • 最大工作温度150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体Pentawatt-5
  • 封装Tube
  • 最小工作温度- 55 C
  • 输出端数量1
  • 工作电源电压- 4 V
  • 工厂包装数量50