时间：2025/6/6 12:56:16
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MS140N30HGB3 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的高性能 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块。该模块主要设计用于高功率工业应用，例如电机驱动、不间断电源 (UPS) 和可再生能源系统中的逆变器等。这款 IGBT 模块采用先进的沟槽场截止技术，具有较低的导通和开关损耗，同时支持高频工作能力。其封装形式通常为标准工业用模块，适合表面贴装或焊接安装。
额定电压：1200V
额定电流：30A
最大集电极-发射极饱和电压：1.8V
最大门极阈值电压：4V
最大功耗：360W
热阻（结到壳）：0.5℃/W
工作温度范围：-40℃ 至 150℃
存储温度范围：-55℃ 至 175℃
MS140N30HGB3 具备以下关键特性：
1. 低开关损耗和导通损耗，适用于高效功率转换应用。
2. 高频操作能力，使设计者能够在更小的尺寸下实现更高的效率。
3. 内置快速恢复二极管，减少开关过程中的反向恢复问题。
4. 采用先进封装技术，提供良好的散热性能。
5. 耐受短路时间长，增强系统的可靠性和稳定性。
6. 支持高温工作环境，适应恶劣工业条件。
7. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
MS140N30HGB3 的典型应用场景包括：
1. 工业电机驱动系统。
2. 不间断电源 (UPS) 设备。
3. 新能源发电系统中的逆变器。
4. 太阳能光伏逆变器。
5. 风力发电机组控制器。
6. 高效电力电子变换器。
7. 电动汽车牵引逆变器。
8. 焊接设备和其他需要高频功率控制的场合。
MS140N30HGB2, FGH30N120UFDB, CSD19535KTT
