电容值：820 pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50 V
　　温度系数：NP0（C0G）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　介质材料：陶瓷
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ 或 100 倍标称值（以较小者为准）
　　额定寿命：在额定电压和温度下至少 10,000 小时

CD105NP-821KC 采用NP0（C0G）温度系数陶瓷材料，具有出色的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内电容值变化极小，通常为±30ppm/°C。该电容器的容差为±10%，确保在高频电路中提供精确的电容值。
　　该电容器的额定电压为50V，适用于中等电压应用，确保在高电压条件下仍能保持良好的性能。其高绝缘电阻特性（≥10,000 MΩ或100倍标称值）确保在高阻抗电路中表现出色，减少漏电流的影响。
　　CD105NP-821KC 采用0805（2012公制）表面贴装封装，便于自动化生产和高密度电路板布局，适用于SMT（表面贴装技术）工艺，提高了生产效率并减少了焊接缺陷。
　　该电容器符合RoHS标准，不含铅和其他有害物质，符合环保要求。其陶瓷材料具有良好的耐热性和机械强度，能够在高温和高振动环境下稳定工作。

CD105NP-821KC 主要应用于需要高稳定性和低温度漂移的电子电路中，如射频（RF）滤波器、振荡器、放大器和耦合电路。在通信设备中，该电容器用于信号传输和滤波，确保信号的稳定性和完整性。
　　此外，CD105NP-821KC 也广泛用于工业控制系统、测试仪器、医疗设备和消费电子产品中。在这些应用中，电容器用于去耦和旁路电路，以减少电源噪声和提高电路稳定性。
　　由于其优异的高频性能，CD105NP-821KC 也被用于射频识别（RFID）设备、无线传感器和物联网（IoT）设备中的高频信号处理电路中，确保设备在高频工作时的稳定性和可靠性。

C0805C821K5RACTU, CL10A821KCQNNNE