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MMBTA14LT1G 发布时间 时间:2025/7/1 14:20:42 查看 阅读:22

MMBTA14LT1G是一种NPN型小信号晶体管,采用SOT-23封装形式。这种晶体管通常用于高频放大和开关应用中,具有较低的噪声和较高的增益特性。其设计旨在满足便携式设备和其他低功耗应用的需求。
  该晶体管的工作频率范围较宽,能够提供稳定的性能表现,同时具备良好的温度稳定性和可靠性。由于其小型化和高效的性能特点,它被广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):30V
  集电极电流(IC):200mA
  直流电流增益(hFE):150(最小值)至 350(最大值)
  工作频率(fT):900MHz
  存储温度范围:-65℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT-23

特性

MMBTA14LT1G具有以下显著特性:
  1. 高频响应能力,适合射频和高速数字电路。
  2. 小尺寸SOT-23封装,节省PCB空间,便于在紧凑型设计中使用。
  3. 较高的直流电流增益(hFE),可实现更高的放大效率。
  4. 良好的热稳定性,在较宽温度范围内保持性能一致。
  5. 可靠性高,适用于长时间运行的设备。
  6. 低噪声特性,有助于改善信号质量并减少失真。

应用

该晶体管的应用场景包括但不限于:
  1. 无线通信模块中的射频信号放大。
  2. 消费类电子产品(如智能手机、平板电脑等)中的开关和放大功能。
  3. 工业控制系统中的信号调理与处理。
  4. 数据转换电路中的缓冲和驱动。
  5. 测试测量设备中的信号增强。
  6. 各种类型的传感器接口电路。

替代型号

MMBT3904LT1G, MMBTH14LT1G

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MMBTA14LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)300mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 100µA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20000 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换125MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBTA14LT1GOSMMBTA14LT1GOS-NDMMBTA14LT1GOSTR