时间：2025/9/14 23:17:59
阅读：3
BAS45AL,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于通用开关和放大电路应用。该器件采用 SOT23 封装，适用于表面贴装技术，具有良好的热稳定性和高频性能。由于其小型封装和高效能，BAS45AL,115 被广泛应用于便携式电子设备、电源管理和信号开关电路中。
类型：N 沟道
漏源电压 (Vds)：100 V
栅源电压 (Vgs)：±20 V
连续漏极电流 (Id)：100 mA
功耗 (Ptot)：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT23
BAS45AL,115 具有多个显著的电气和物理特性，使其适用于多种电子设计。首先，该 MOSFET 的漏源电压为 100V，能够在较高电压下稳定工作，适用于中等功率的开关应用。其次，其连续漏极电流为 100mA，在小型封装中提供了足够的电流承载能力，适合用于低功耗电路中的信号控制和电源管理。此外，该器件的栅源电压范围为 ±20V，具有良好的栅极保护能力，防止因过电压而损坏器件。
在热性能方面，BAS45AL,115 的功耗为 300mW，可在较高的环境温度下正常运行，同时其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于严苛环境下的工业级应用。封装方面，SOT23 封装提供了紧凑的尺寸，便于在空间受限的 PCB 设计中使用，并且支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
该器件还具有良好的高频响应特性，适用于射频和高速开关电路。其快速的开关速度可以减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，该 MOSFET 的导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高能效。这些特性使得 BAS45AL,115 成为便携式设备、LED 驱动、传感器控制以及小型电源转换器的理想选择。
BAS45AL,115 主要应用于低至中功率的电子电路中。常见的应用包括电源管理模块、电池供电设备中的开关电路、LED 驱动电路、逻辑电平转换、信号放大器以及传感器接口电路。此外，由于其高频特性，该器件也常用于射频开关、模拟开关和数字控制电路中。在工业自动化、消费电子和汽车电子中也有广泛的应用。
BSS138, 2N7002, FDS6670, NDS355AN
