时间：2025/7/31 18:55:32
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FFSP3065A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高效、高耐压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和高功率应用中。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻和高开关速度，适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：650V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：30A
导通电阻(RDS(on))：典型值为75mΩ（最大值为90mΩ）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
FFSP3065A 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其75mΩ的RDS(on)使得在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
此外，该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压可达650V，使其适用于高压开关电源和功率因数校正（PFC）电路。
该器件采用TO-263封装，具备良好的热管理和散热能力，适用于高功率密度设计。
FFSP3065A 还具有快速开关特性，减少开关损耗，提高系统整体效率。
其栅极驱动电压范围为±20V，适用于标准的10V和12V栅极驱动电路，便于集成到各种电源管理系统中。
该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了器件在高应力条件下的可靠性。
FFSP3065A 常用于各类高功率电源设备，如AC-DC开关电源、DC-DC转换器、PFC电路、电机驱动器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。
在工业自动化领域，它可用于高性能电机控制和伺服驱动器。
由于其高可靠性和高耐压特性，FFSP3065A 也适用于家用电器中的电源管理模块，如空调变频器和智能电表。
在通信设备中，该MOSFET可用于电源模块的高效转换，提高整体系统效率。
此外，它还可用于电池管理系统（BMS）和储能系统中的功率开关。
FQP30N65C、FDBL30N65S、STW34N65K5、SiHP30N65CFD
