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JS28F640J3D75B 发布时间 时间:2025/10/29 21:29:49 查看 阅读:20

JS28F640J3D75B 是英特尔(Intel)推出的一款NOR型闪存芯片,属于其StrataFlash Embedded Memory家族中的第三世代产品。该器件采用先进的MirrorBit技术,能够在单个存储单元中存储两个比特的数据,从而在不增加芯片面积的情况下显著提升存储密度。JS28F640J3D75B的存储容量为64兆字节(Mb),等效于8兆字节(MB),适合需要高可靠性、快速读取和低功耗特性的嵌入式应用。该芯片支持多种电压操作,包括核心电压和I/O电压的独立供电设计,使其能够灵活地集成到不同的系统架构中。其封装形式通常为60引脚TSOP(Thin Small Outline Package),便于在空间受限的应用中进行布局与焊接。JS28F640J3D75B广泛应用于工业控制、网络设备、打印机、机顶盒以及汽车电子等领域,作为程序存储器用于存放固件或操作系统代码。
  该芯片具备非易失性存储特性,即使在断电情况下也能长期保存数据。它支持页编程、块擦除和整片擦除等多种操作模式,并内置了内部状态机以简化主机处理器对复杂时序的管理。此外,JS28F640J3D75B还集成了硬件写保护功能,防止因意外写入或擦除导致关键数据丢失。通过兼容CE(Chip Enable)、OE(Output Enable)和WE(Write Enable)控制信号的标准异步接口,该器件可以无缝替换传统NOR Flash解决方案,适用于需要直接XIP(eXecute In Place)运行代码的场景。随着半导体制造工艺的进步,该型号虽已逐步进入生命周期后期,但在许多存量设备和工业系统中仍具有重要地位。

参数

品牌:Intel
  类型:NOR Flash
  容量:64Mbit
  组织结构:4M x16位 / 8M x8位
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装:60-TSOP
  访问时间:75ns
  接口类型:异步并行
  编程电压:内部电荷泵生成
  写保护功能:支持硬件WP#引脚
  擦除方式:扇区/块/整片擦除
  总线宽度:可配置x8/x16模式
  JEDEC标准:符合JS28F系列规范

特性

JS28F640J3D75B采用了英特尔专有的MirrorBit技术,这项创新技术允许在一个物理存储单元内存储两个独立的数据位,分别位于“左”和“右”两侧,通过改变电荷分布的位置来实现多比特存储。这种结构不仅提升了存储密度,还降低了单位容量的成本,同时保持了NOR Flash固有的高速随机读取能力和高可靠性。MirrorBit技术基于氮化物陷阱层存储机制,相较于传统的浮栅型Flash,具有更好的数据保持能力和耐久性,尤其适合长期运行且对稳定性要求极高的工业环境。
  该芯片支持快速的读取访问时间(典型值为75纳秒),使得CPU可以直接从Flash中执行代码而无需先将程序加载至RAM,极大地提高了系统启动速度和响应性能。这对于实时操作系统(RTOS)或需要快速初始化的嵌入式设备至关重要。其异步并行接口兼容通用SRAM时序,简化了与微控制器、DSP或ASIC的连接设计,降低了开发难度。
  在耐久性和数据保持方面,JS28F640J3D75B保证每个扇区可进行至少10万次的擦写循环,并可在断电状态下可靠保存数据长达20年。这一特性使其非常适合用于频繁更新配置信息或日志记录的应用场合。此外,器件内置智能写状态机(WSM),可在编程或擦除操作期间自动管理内部电压和时序,减轻主控处理器负担,并提供可靠的完成状态反馈。
  为了增强系统的安全性与稳定性,该芯片配备了硬件写保护引脚(WP#),当激活时可阻止对特定区域或整个芯片的修改操作,有效防止误操作或恶意篡改。同时支持按扇区进行细粒度擦除(最小擦除单位为64KB扇区),允许用户灵活管理存储空间,实现固件分区更新或多版本共存策略。整体而言,JS28F640J3D75B以其成熟的技术、稳定的性能和广泛的兼容性,在众多嵌入式系统中扮演着关键角色。

应用

JS28F640J3D75B因其出色的读取性能、高可靠性和工业级工作温度范围,被广泛应用于各类嵌入式系统中。在通信设备领域,如路由器、交换机和基站控制器中,该芯片常用于存储引导程序(Bootloader)、操作系统映像和配置文件,确保设备在上电后能迅速启动并进入正常工作状态。其支持XIP(就地执行)的能力使得系统无需额外的大容量RAM即可运行核心代码,有助于降低整体BOM成本。
  在工业自动化控制系统中,例如PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)终端和远程IO模块,JS28F640J3D75B用于存放控制逻辑程序和固件,其宽温工作范围(-40°C至+85°C)确保在恶劣环境下依然稳定运行。此外,由于其具备良好的抗干扰能力和长寿命特性,非常适合部署在工厂车间、电力系统或户外监控设备中。
  消费类电子产品如激光打印机、多功能一体机和数字复印机也大量采用此类NOR Flash芯片。在此类设备中,它主要用于存储打印引擎控制程序、字体库和用户界面资源。其快速随机访问能力保障了文档处理过程中的高效响应。
  在汽车电子领域,尽管当前主流趋势转向更高密度的存储方案,但JS28F640J3D75B仍可见于部分车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块或车身控制单元中,特别是在需要长期供货保障的老款车型或工业车辆中。此外,医疗设备、测试仪器和航空电子设备等对数据完整性和系统稳定性有严苛要求的行业,也是该芯片的重要应用场景之一。

替代型号

S29GL064N90TF104
  MT28EW064ABA-75:A
  SST39VF6401B-70-4C-PHE

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JS28F640J3D75B参数

  • 标准包装1,600
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列StrataFlash™
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - 或非
  • 存储容量64M(8M x 8,4M x 16)
  • 速度75ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商设备封装56-TSOP(18.4x14)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称872338872338TR872338TR-NDJS28F640J3D75 872338JS28F640J3D75BTR