FSP120-AHAN3 是一款由 IXYS 公司设计的功率MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要用于高功率和高频率的应用场合。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性,适合用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制和逆变器等电力电子设备中。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):120V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):80A
导通电阻(RDS(on)):≤4.2mΩ
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-263(D2PAK)
功率耗散(PD):250W
FSP120-AHAN3 的核心优势在于其卓越的导电性能和高效的开关特性。该MOSFET采用先进的Trench沟槽结构设计,使得其导通电阻极低,从而显著降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该器件的高栅极电荷(Qg)优化了开关性能,能够在高频应用中保持良好的稳定性和低开关损耗。
该MOSFET还具备良好的热管理能力,其封装设计支持快速散热,确保在高电流负载下仍能维持较低的工作温度,延长器件使用寿命。FSP120-AHAN3 通过了AEC-Q101汽车电子标准认证,适用于对可靠性和稳定性要求较高的汽车电子系统。
在封装方面,TO-263(D2PAK)是一种表面贴装封装形式,具有较强的机械强度和优良的电气性能,便于自动化生产和安装。该封装形式也支持良好的散热路径,适合用于高功率密度设计中。
FSP120-AHAN3 主要应用于需要高效能功率转换的场合,如DC-DC降压/升压变换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统(BMS)。此外,由于其通过了AEC-Q101认证,该器件也广泛用于汽车电子领域,如电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电源系统、车载充电器(OBC)、逆变器和电驱系统中。
在工业控制方面,FSP120-AHAN3 可用于伺服电机驱动、UPS不间断电源、工业电源模块以及太阳能逆变器等设备中。其低导通电阻和高耐压能力使其在这些高要求的应用中表现出色,有助于提升系统效率并降低发热量。
IRF1405, FDP120N10A, FQA80N120, FSP120-12A