时间：2025/4/27 9:00:20
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VN5050AJTR-E 是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小尺寸的DFN5060-8封装，适用于空间受限的应用场景。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于电源管理、负载开关、同步整流以及便携式设备中的高效能转换电路。
其设计优化了热性能和电气性能，同时具备良好的可靠性和稳定性，能够在高频开关应用中提供优异的表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：7mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
输入电容：165pF（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：DFN5060-8
VN5050AJTR-E 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 小型化的 DFN5060-8 封装，非常适合对体积敏感的设计。
3. 高速开关能力，支持高频电源转换应用。
4. 较高的电流承载能力，满足大功率需求。
5. 良好的热性能，确保在高功耗条件下的稳定运行。
6. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 移动设备及消费类电子产品的负载开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电池供电设备的功率管理。
4. USB 端口保护和切换。
5. 各种需要低功耗、小型化解决方案的场合。
VN5050AJTR-E 的高性能和紧凑封装使其成为现代电子产品设计的理想选择。
VN5050AJTR, VN5050KJR-E, BSC0906-LS
