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GA1206A332FBCBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 14:52:35 查看 阅读:8

GA1206A332FBCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率和高可靠性的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和优秀的热性能等特点,广泛适用于电源管理、电机驱动以及各类开关应用领域。
  这款芯片通过优化结构设计,能够有效降低功耗并提升系统整体效率,同时具备强大的抗电磁干扰能力,确保在复杂电磁环境下的稳定运行。

参数

型号:GA1206A332FBCBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  封装形式:BCCBR31G
  VDS(漏源电压):120V
  RDS(on)(导通电阻):33mΩ
  ID(持续漏极电流):65A
  Qg(栅极电荷):9nC
  f(工作频率):500kHz
  Ptot(总功耗):200W
  Tj(结温范围):-55°C to +175°C

特性

GA1206A332FBCBR31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻RDS(on),仅为33mΩ,显著降低了传导损耗。
  2. 快速开关速度,栅极电荷Qg仅为9nC,有助于提高工作效率并减少开关损耗。
  3. 高耐压能力,VDS高达120V,适用于多种高压应用场景。
  4. 大电流处理能力,支持最高65A的持续漏极电流。
  5. 优异的热性能,能够承受较高的结温范围(-55°C至+175°C),适应恶劣的工作条件。
  6. 封装形式紧凑且坚固,适合空间受限的应用场合。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的高频开关。
  2. DC-DC转换器,用于高效的电压调节。
  3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  5. 工业控制设备中的功率转换模块。
  6. 各类电池管理系统(BMS),以实现精确的充放电控制。

替代型号

GA1206A350FBCBR31G, IRFZ44N, FDP18N12

GA1206A332FBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-