VN07 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件设计用于在高电压和高电流条件下工作,具有较低的导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,使其适用于电机控制、电源转换、电池管理系统和工业自动化设备等领域。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压(Vds):60V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):110A(在 Tc=25°C 时)
导通电阻(Rds(on)):典型值为 3.5mΩ(在 Vgs=10V 时)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220、D2PAK 等
VN07 的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统的整体效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作性能,适用于各种苛刻的工作环境。此外,VN07 具有较高的电流承载能力,能够在高负载条件下保持良好的稳定性。其快速开关特性减少了开关损耗,从而进一步提高了能效。该 MOSFET 还具备较高的耐用性和可靠性,能够在较宽的温度范围内正常工作,确保了其在工业和汽车应用中的广泛适用性。
另外,VN07 设计有内置的静电放电(ESD)保护功能,能够在一定程度上防止因静电引起的损坏。其栅极驱动电压范围较宽,支持 10V 至 20V 的工作电压,便于与多种驱动电路配合使用。由于其出色的热性能和电性能,VN07 可以在高频率开关应用中表现出色,适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电机控制等应用场景。
VN07 常用于需要高效功率管理的工业和汽车电子系统中。典型应用包括电机驱动器、逆变器、电源转换器、电池管理系统、UPS(不间断电源)、工业自动化设备以及各种高功率电子控制系统。由于其高可靠性和优异的热管理性能,VN07 也适用于汽车应用,如电动助力转向系统(EPS)、电动车辆的电池管理系统(BMS)和车载充电器等。
此外,该 MOSFET 还可用于消费类电子产品中的电源管理模块,例如笔记本电脑、平板电脑和高性能游戏设备的电源系统。其快速开关特性和低导通电阻也使其成为 LED 照明驱动器、太阳能逆变器和储能系统的理想选择。
STP110NF55、IRF1404、SiS436DN