类型：ESD 保护二极管阵列
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：6.0V（最大值）
　　钳位电压（VC）：10V（典型值，IPP=1A）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　结电容（Cj）：0.3pF（典型值，f=1MHz）
　　反向漏电流（IR）：1μA（最大值，VRWM下）
　　极性：双向
　　封装形式：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散（PPPM）：100W（8/20μs）

132-11SMJLD 具备极低的结电容，典型值仅为0.3pF，这一特性使其非常适合用于高速数据传输线路的保护，例如 USB 2.0、HDMI、SD 卡接口以及射频天线等应用场景。在这些高频信号路径中，传统保护器件可能因较高的寄生电容引入信号失真、衰减或延迟，影响系统性能；而该器件的超低电容几乎不会对信号完整性造成影响，确保了原始信号的保真度和传输速率。此外，其双向极性设计允许它在正负方向的瞬态电压事件中均能有效响应，特别适用于交流信号线或双极性工作环境。
　　该器件采用先进的硅结技术，具备快速响应能力，能够在纳秒级时间内对静电放电事件做出反应，迅速将电压钳制在安全范围内，从而保护后端敏感集成电路（如 MCU、ASIC 或收发器）。其钳位电压低至10V左右，在承受1A峰值脉冲电流时仍能保持稳定性能，有效降低下游器件承受的应力。同时，器件具有高达150°C的最高结温，可在严苛的热环境中长期可靠运行，并通过AEC-Q101等车规级认证的可能性较高，适合汽车电子应用。
　　封装方面，SOD-523 小型化封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升制造效率。器件的低漏电流特性（最大1μA）有助于减少待机功耗，延长电池供电设备的工作时间。整体结构经过优化，具备良好的热稳定性和机械强度，能够承受多次重复性ESD冲击而不发生性能退化。此外，132-11SMJLD 符合 IEC 61000-4-2（±15kV 空气放电，±8kV 接触放电）等国际电磁兼容标准，确保在复杂电磁环境下仍能提供稳定可靠的防护能力。

该器件广泛应用于便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于保护USB接口、音频插孔、SIM卡槽和LCD连接器等易受人体静电影响的端口。在通信领域，可用于以太网PHY、RS-485、CAN总线等差分信号线的瞬态抑制，防止雷击感应或电源耦合干扰损坏通信模块。在工业控制系统中，常被部署于传感器信号输入端、人机界面（HMI）和编码器接口，提升系统的抗扰度与可靠性。此外，在汽车电子中，可用于车载信息娱乐系统、导航设备和车内网络接口的ESD防护，满足严苛的环境要求。由于其低电容和高速特性，也适用于高频模拟信号路径，如GPS天线、Wi-Fi和蓝牙模块的前端保护，避免高频信号衰减。在医疗设备中，用于保护患者连接的传感器接口，防止外部静电窜入导致误操作或设备损坏。整体而言，凡是有高速信号传输且存在静电暴露风险的应用场景，132-11SMJLD 均能提供高效、紧凑的解决方案。