时间：2025/5/10 9:15:10
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VN02NSP是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用SOT-23封装形式。该器件主要应用于低电压、小信号开关和功率管理电路中，因其低导通电阻和快速开关特性而受到广泛欢迎。VN02NSP适用于各种消费类电子产品以及工业控制领域中的小型化设计。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：180mA
导通电阻(Rds(on))：1.9Ω（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷(Qg)：1nC
功耗(Pd)：360mW
工作温度范围(Ta)：-55℃至+150℃
VN02NSP具有非常低的导通电阻，在给定的工作条件下可以显著减少功率损耗。
其快速开关能力使其非常适合高频应用，例如开关电源和DC-DC转换器。
由于采用了SOT-23的小型封装，它能够节省PCB空间并便于安装。
此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常运行。
VN02NSP广泛用于便携式设备中的负载开关、电池保护电路、电机驱动以及LED驱动等场景。
它也常见于音频设备、通信设备及计算机外设等需要高效功率管理的地方。
在工业领域，VN02NSP可用于传感器接口、继电器驱动和其他小型控制电路。
VN02MS, VN03NSP, BSS138
