产品系列：VLS2010ET
　　电感值：0.56 μH
　　额定电流：3.4 A
　　直流电阻（DCR）：27 mΩ 最大
　　自谐振频率（SRF）：110 MHz 典型值
　　容差：±20%
　　尺寸（长×宽×高）：2.0 mm × 1.0 mm × 0.8 mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C（包括自发热）
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　核心材料：金属合金粉末
　　端子类型：AEC-Q200认证：不适用（主要用于消费类）
　　屏蔽类型：磁屏蔽结构
　　安装方式：表面贴装（SMD）

VLS2010ET-R56N的核心特性之一是其采用金属合金粉末磁芯材料，这种材料相较于传统的铁氧体磁芯具有更高的饱和磁通密度，能够在大电流通过时有效抑制电感值的下降，从而提升电源系统的稳定性和动态响应能力。同时，合金粉末颗粒之间具有天然的气隙分布，有助于分散磁场，减少局部磁通集中，进一步增强抗饱和能力。该特性使其特别适用于高瞬态电流负载的应用，例如处理器供电或射频功放电源路径。
　　其次，该电感器采用了扁平铜线绕组技术，显著降低了绕组的交流电阻（ACR）和集肤效应损耗，提高了高频下的效率表现。结合低直流电阻（最大27mΩ），整体功率损耗被控制在较低水平，有助于提升DC-DC转换器的整体能效，并减少热积累，延长系统寿命。此外，扁平线结构还优化了绕组填充率，在有限体积内实现了更高的电感密度。
　　第三，VLS2010ET-R56N具备优良的磁屏蔽设计，外部磁场泄漏极小，可有效减少对邻近敏感电路（如射频模块、传感器等）的电磁干扰（EMI），这对于高集成度的移动设备尤为重要。屏蔽结构还能提高电感器自身的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。
　　最后，该器件的小型化封装（2.0mm x 1.0mm x 0.8mm）使其成为当前微型化电子产品中的理想选择。尽管尺寸微小，但其仍能承载高达3.4A的额定电流，体现了高功率密度的设计优势。其端子经过特殊处理，确保良好的焊接可靠性和机械强度，支持高速自动贴片工艺，适用于大规模生产环境。综合来看，VLS2010ET-R56N在电感稳定性、效率、EMI控制和空间利用方面均表现出色，是一款面向高端电源管理应用的先进功率电感器。

VLS2010ET-R56N主要应用于需要高效率、小尺寸和高电流能力的便携式电子设备中的电源管理系统。其典型应用场景包括智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑和可穿戴设备中的降压型DC-DC转换器（Buck Converter），用于为主处理器、GPU、内存和其他核心芯片提供稳定的电压调节。在这些应用中，该电感器作为储能元件，在开关周期内储存和释放能量，确保输出电压的平稳与高效转换。
　　此外，它也广泛用于负载点电源（Point-of-Load, POL）系统中，特别是在多路电源轨设计中为不同功能模块提供独立供电。由于其快速响应负载变化的能力和良好的电流处理性能，能够满足现代SoC（系统级芯片）对动态电压调节的需求，尤其在待机与全速运行模式切换时保持电源稳定。
　　在无线通信设备中，该电感可用于射频功率放大器（PA）的偏置电路或电源滤波网络，因其低EMI特性和高可靠性，有助于提升信号完整性和系统抗干扰能力。同时，在电池管理单元（BMU）或充电管理电路中，也可用作升压或降压拓扑中的关键电感元件，提高能量转换效率，延长电池续航时间。
　　除此之外，该器件还可应用于小型物联网（IoT）终端、TWS耳机电源模块、摄像头模组供电以及各类高密度PCB布局的嵌入式系统中。对于追求轻薄化、高集成度和长续航的产品设计而言，VLS2010ET-R56N提供了一个兼顾性能与空间限制的理想解决方案。其工业级温度范围也使其适用于部分工业传感器节点或便携医疗设备中的电源设计。

XAL2010-0561MLB