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GA1206Y182KBXBR31G 发布时间 时间:2025/5/29 19:21:07 查看 阅读:7

GA1206Y182KBXBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,支持高频率操作,并具备出色的热性能表现。其封装形式经过优化设计,有助于改善散热效果,适合用于高功率密度的应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  耐压:60V
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  最大电流(连续漏极电流):140A
  栅极电荷(Qg):75nC
  开关速度:超快恢复
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:D2PAK-7(TO-263-7)

特性

GA1206Y182KBXBR31G 具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下减少功耗并提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频工作环境,降低了开关损耗。
  3. 优化的栅极驱动设计,确保了更稳定的性能和更高的可靠性。
  4. 支持高达 140A 的连续漏极电流,适用于高功率应用场景。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应各种极端环境条件。
  6. D2PAK-7 封装提供了良好的散热性能,同时兼容表面贴装和通孔安装技术。
  7. 内置保护功能,例如过温保护和短路保护,提高了整体的安全性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和控制电路。
  3. 高效逆变器和 UPS 系统。
  4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
  5. 大功率 LED 驱动电路。
  6. 各种工业自动化设备中的电源模块。
  7. 高频功率转换器和负载点调节器(POL)。

GA1206Y182KBXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-