时间：2025/12/25 9:51:45
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VLF252015MT-R47N是一款由TDK公司生产的多层片状铁氧体磁珠，属于VLF系列，专为高频噪声抑制设计。该器件采用先进的陶瓷和铁氧体材料制造，适用于高密度、小型化的电子设备中，尤其在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及通信模块中广泛应用。其主要功能是通过在信号或电源路径上串联一个高频阻抗元件，有效吸收并衰减高频电磁干扰（EMI），从而提升系统的电磁兼容性（EMC）。
VLF252015MT-R47N的封装尺寸为2.5mm x 2.0mm x 1.5mm，符合EIA标准的1008尺寸，便于自动化贴装工艺。该磁珠具有低直流电阻（DCR）、高阻抗特性，并能在宽频率范围内提供稳定的噪声抑制性能。其额定电流为600mA，保证在正常工作条件下不会因温升导致饱和或性能下降。此外，该器件具备良好的温度稳定性与耐热冲击能力，适用于回流焊等SMT加工流程。
产品型号：VLF252015MT-R47N
制造商：TDK
系列：VLF
封装尺寸：2.5 x 2.0 x 1.5 mm
尺寸代码（EIA）：1008
直流电阻（DCR）典型值：0.3 Ω
额定电流：600 mA
阻抗频率：100 MHz
阻抗值（Z）：47 Ω ±25%
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
耐焊接热：符合JIS C 60068-2-2 标准
磁珠类型：表面贴装多层片状磁珠
应用领域：EMI滤波、电源去耦、高速信号线噪声抑制
VLF252015MT-R47N磁珠的核心特性在于其优异的高频噪声抑制能力和稳定的电气性能表现。该器件基于TDK自主研发的高性能铁氧体材料体系，通过多层共烧技术实现微型化结构设计，在极小的体积内实现了高达47Ω（@100MHz）的阻抗值，能够有效抑制GHz以下频段内的共模和差模噪声。其阻抗曲线在几十MHz至数百MHz范围内呈现平缓上升趋势，适合用于USB、HDMI、MIPI、RF线路等高速信号通道中的EMI滤波。
该磁珠具有较低的直流电阻（仅0.3Ω），这使得其在通过600mA额定电流时功耗和温升保持在合理范围内，避免了对供电效率的影响，同时防止磁芯过早饱和而导致滤波性能下降。这种低损耗特性使其特别适用于电池供电设备中，有助于延长续航时间。此外，其非线性特性较弱，在不同电流负载下仍能维持相对稳定的阻抗响应，提升了系统运行的一致性和可靠性。
VLF252015MT-R47N具备出色的温度稳定性和环境适应性，可在-55°C至+125°C的宽温范围内可靠工作，满足工业级和消费级应用的需求。器件经过严格的耐焊接热测试，支持无铅回流焊工艺，能够在多次热循环后依然保持机械完整性和电气性能不变。其端电极采用三层电镀结构（Ni/Sn/Cu），增强了抗腐蚀能力与焊接可靠性，适用于高湿度、高温等恶劣环境下的长期使用。
由于其小型化设计，VLF252015MT-R47N非常适合应用于空间受限的高集成度PCB布局中，例如移动终端内部的射频前端模块、摄像头接口、显示屏驱动线路等位置。它不仅能有效降低传导发射水平，还能减少对外部电路的干扰，提高整体系统的抗干扰能力。结合合理的PCB布线与接地策略，该磁珠可以显著改善产品的EMC测试结果，帮助通过FCC、CE等国际认证标准。
VLF252015MT-R47N广泛应用于各类需要高效EMI抑制的电子设备中，尤其是在高频数字电路和无线通信系统中发挥关键作用。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的高速数据接口保护，如USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、MIPI DSI/CSI总线等，用于消除高速切换产生的谐波噪声，防止其耦合到其他敏感电路中引发误动作或信号失真。
在无线通信模块方面，该磁珠常被用于Wi-Fi、蓝牙、NFC、LTE/5G射频前端的电源去耦和偏置线路滤波，以确保射频信号的纯净度和接收灵敏度。在电源管理部分，可用于DC-DC转换器输出端、LDO稳压器输入输出侧的噪声滤除，提升电源纹波抑制比（PSRR），保障模拟电路（如音频放大器、传感器）的工作精度。
此外，该器件也适用于工业控制设备、医疗电子仪器、车载信息娱乐系统等对电磁兼容性要求较高的场合。在这些系统中，多个子系统共存于同一PCB上，容易产生相互干扰，使用VLF252015MT-R47N可以在不增加额外屏蔽措施的情况下，有效隔离噪声传播路径，提升整机稳定性与安全性。
BLM18PG470SN1D
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DLW21SN470SQ5L
