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VLF252015MT-6R8M 发布时间 时间:2025/12/25 9:40:58 查看 阅读:49

VLF252015MT-6R8M是一款由TDK公司生产的表面贴装功率电感器,属于VLF系列。该系列产品专为高电流、低损耗应用设计,采用金属合金粉末磁芯和单层绕组结构,具有优异的磁屏蔽性能和热稳定性。该型号电感值为6.8μH,公差为±20%,适用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)、电源管理单元等高性能电源电路中。其紧凑的2520尺寸(2.5 x 2.0 mm)使其非常适合空间受限的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及工业控制设备中的电源模块。该器件具备出色的抗饱和特性,在大电流下仍能保持较高的电感稳定性,并且在高频工作条件下具有较低的 core loss 和 copper loss,有助于提升整体电源效率。此外,VLF252015MT-6R8M符合RoHS环保标准,无卤素,支持回流焊工艺,适合自动化SMT生产线使用。

参数

产品类型:功率电感器
  封装尺寸:2520(2.5 x 2.0 mm)
  电感值:6.8 μH
  电感公差:±20%
  直流电阻(DCR):典型值约 35 mΩ
  额定电流(Irms):约 2.3 A(温度上升40°C)
  饱和电流(Isat):约 2.7 A(电感下降30%)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  最大高度:1.5 mm
  核心材料:金属合金粉末
  屏蔽类型:磁屏蔽结构
  端子材料:铜合金,银镀层
  安装方式:表面贴装(SMD)
  感应频率测试条件:100 kHz, 0.1 Vrms

特性

VLF252015MT-6R8M采用TDK先进的金属合金粉末磁芯技术,这种材料相较于传统的铁氧体磁芯具有更高的饱和磁通密度,能够在大电流负载下有效抑制电感值的快速衰减,从而保证电源系统的稳定输出。其独特的单层线圈绕制工艺不仅降低了绕组间的寄生电容,还显著减少了高频下的涡流损耗,提升了整体能效表现。该电感器具备优异的热管理能力,在持续高电流运行时温升较低,有助于延长周边元件寿命并提高系统可靠性。
  该器件的磁屏蔽结构设计极大地减少了电磁干扰(EMI)的辐射,使其在密集布板环境中不会对邻近信号线路造成明显影响,特别适用于高速数字电路与模拟电路共存的应用场景。同时,其低轮廓特性(最大高度仅1.5mm)使得它能够满足超薄电子产品对元器件高度的严格要求。机械结构上,该电感经过优化设计,具备良好的抗振动和抗冲击性能,适用于移动设备及工业环境下的长期运行。
  VLF252015MT-6R8M还通过了严格的环境适应性测试,包括高温高湿存储、温度循环、耐焊接热等项目,确保在各种恶劣条件下仍能维持稳定的电气性能。其端子采用银镀层处理,增强了可焊性和长期连接的可靠性,避免因氧化或腐蚀导致接触不良问题。此外,该产品生产过程遵循无铅回流焊曲线要求,兼容主流SMT工艺流程,便于大规模自动化生产。总体而言,这款电感器在性能、尺寸、可靠性和制造兼容性之间实现了良好平衡,是现代高效电源设计的理想选择之一。

应用

广泛应用于移动通信设备的电源管理系统,如智能手机和平板电脑中的降压型DC-DC转换器;用于笔记本电脑和超极本中的CPU/GPU供电模块(VRM);作为服务器和网络设备中点负载(POL)转换器的关键储能元件;适用于工业控制板、医疗电子设备以及汽车信息娱乐系统的低压大电流电源电路;也可用于LED驱动电源、电池充电管理电路以及其他需要高效率、小体积、低EMI特性的开关电源拓扑结构中。

替代型号

VLF252015MT-6R8N

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VLF252015MT-6R8M参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列VLF-M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感6.8 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)1.14 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)520mA
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)190 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级-
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 电感频率 - 测试1 MHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳1008(2520 公制)
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.059"(1.50mm)