时间：2025/7/9 23:37:34
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AO4402G是由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN1x2-8封装，具有极低的导通电阻和高开关速度，非常适合用于便携式设备、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理等应用领域。
AO4402G的设计目标是提供高效的功率转换解决方案，同时减小整体电路尺寸。其优异的电气性能和紧凑的封装使其成为现代电子设计中的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
总电容：175pF（输入电容Ciss）
工作结温范围：-55°C至+150°C
封装类型：DFN1x2-8
AO4402G的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关应用。
3. 小型化的DFN1x2-8封装，节省PCB空间。
4. 符合RoHS标准，环保且可靠。
5. 良好的热稳定性和电气稳定性，适用于严苛的工作环境。
6. 内置ESD保护，提升器件的抗静电能力。
AO4402G广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的电源管理。
2. 便携式电子设备的负载开关。
3. DC-DC转换器和降压-升压转换器。
4. 电池保护电路。
5. 小型电机驱动控制。
6. 通用功率开关应用。
AO4402A, AO4402
