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VLF252010MT-1R0N 发布时间 时间:2025/12/25 9:40:24 查看 阅读:62

VLF252010MT-1R0N 是由TDK公司生产的一款功率电感器,属于VLF系列,专为高电流、低直流电阻应用设计。该电感采用金属合金粉末磁芯和一体成型结构(Molded),具备优异的饱和特性与热稳定性,适用于现代开关电源中的储能和平滑滤波。其小型化封装尺寸为2.5mm x 2.0mm x 1.0mm,符合便携式电子设备对空间紧凑布局的需求。型号中‘1R0N’表示其标称电感值为1.0μH(R代表小数点),额定电流较高,能够在不显著降低电感量的情况下承受较大的直流偏置电流。这款器件广泛用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)、笔记本电脑、智能手机以及其他需要高效能功率管理的场合。由于其低损耗、高效率的特点,VLF252010MT-1R0N在高频工作环境下依然保持良好性能,是替代传统绕线式功率电感的理想选择之一。此外,该元件具有良好的抗干扰能力和EMI抑制能力,有助于提升系统整体的电磁兼容性。产品符合RoHS环保标准,并支持回流焊工艺,便于自动化贴装生产。

参数

产品系列:VLF
  封装尺寸:2.5mm x 2.0mm x 1.0mm
  电感值:1.0μH
  允许偏差:±20%
  直流电阻(DCR):典型值85mΩ,最大值95mΩ
  额定电流(Isat):2.5A(电感下降30%)
  额定电流(Itemp):2.0A(温升40°C)
  自谐振频率(SRF):≥60MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  存储温度范围:-40°C 至 +150°C
  核心材料:金属合金粉末
  安装类型:表面贴装(SMD)
  焊接方式:回流焊

特性

VLF252010MT-1R0N 具备出色的直流叠加特性,这得益于其采用的金属合金粉末磁芯材料。这种材料在高磁场强度下仍能维持较高的磁导率,有效防止电感在大电流通过时迅速饱和,从而确保电源系统的稳定运行。当电流逐渐增加时,电感值缓慢下降而非突变,使得电路设计更具可预测性和安全性。这一特性对于现代高性能处理器供电所需的快速瞬态响应DC-DC变换器尤为重要。
  该电感还拥有极低的直流电阻(DCR),典型值仅为85mΩ,大幅降低了导通损耗,提高了电源转换效率,尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。同时,低DCR也减少了发热,提升了长期工作的可靠性。结合其高达2.5A的饱和电流(Inductance drop of 30%)和2.0A的温升电流(Temperature rise of 40°C),VLF252010MT-1R0N 能够满足多数中等功率应用场景的需求。
  结构上,该器件采用一体成型压铸技术,将线圈完全包裹在磁性材料内部,形成坚固的整体结构,不仅增强了机械强度,还显著降低了外部电磁干扰(EMI)。封闭式磁路设计使得漏磁极小,有利于多通道电源或敏感信号线路附近的布局。此外,外壳绝缘性能优良,耐电压能力强,适合高密度PCB布线环境。
  其小型化尺寸(2.5×2.0×1.0mm)使其适用于空间受限的应用,如移动通信设备、平板电脑和超薄笔记本电脑中的电源模块。尽管体积小巧,但热管理表现优异,在正常工作条件下温升可控,不会影响周边元器件。产品符合AEC-Q200标准的部分要求,具备良好的温度循环和湿度耐受能力,适用于工业级和消费类电子产品。

应用

VLF252010MT-1R0N 主要应用于各类需要高效、小型化功率电感的直流-直流(DC-DC)转换电路中。常见于便携式电子设备的电源管理系统,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,作为降压型(Buck)或升压型(Boost)转换器中的储能元件,实现稳定的电压输出与高效的能量转换。其低直流电阻和高饱和电流特性特别适合用于处理器、GPU或内存模块的电压调节模块(VRM),能够应对动态负载变化带来的电流波动,保障核心芯片的稳定供电。
  在工业控制领域,该电感可用于PLC控制器、传感器模块、电机驱动电源等嵌入式系统中,提供可靠的电源滤波和噪声抑制功能。由于其良好的温度稳定性和抗振动能力,也可应用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶模块的非引擎舱部分电源设计。此外,在服务器和网络通信设备中,该器件常被用作POL(Point-of-Load)电源解决方案的一部分,满足多路供电需求的同时节省PCB空间。
  该电感还可用于LED驱动电源、电池充电管理电路以及各种小型电源适配器中。其优异的EMI性能有助于通过电磁兼容认证,减少额外屏蔽成本。在高频率开关电源(通常工作在数百kHz至2MHz范围)中,VLF252010MT-1R0N 表现出较低的核心损耗和良好的频率响应,有助于提升整体系统效率并降低发热量。因此,它是现代高集成度、高效率电源设计中不可或缺的关键元件之一。

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VLF252010MT-1R0N参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列VLF-M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感1 μH
  • 容差±30%
  • 额定电流(安培)2.25 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)1.27A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)59 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级-
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 电感频率 - 测试1 MHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳1008(2520 公制)
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.039"(1.00mm)