KTK5132E-RTK/P 时间：2025/9/12 15:04:42 阅读：10

KTK5132E-RTK/P 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型高频晶体管。该器件广泛用于高频放大电路、射频（RF）应用以及低噪声前置放大器等场合。该晶体管采用 TO-92 封装形式，具有良好的高频响应和稳定性，适合在通信设备、音频放大器以及消费类电子产品中使用。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级划分）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-92

特性

KTK5132E-RTK/P 晶体管具备优异的高频性能，适用于 RF 和 IF 放大器应用。其高过渡频率（fT）达到 100MHz，使其能够在中高频范围内提供良好的增益和稳定性。此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛（110-800），可适应多种电路设计需求，提高了电路的灵活性与可靠性。TO-92 封装结构紧凑，便于安装且热稳定性良好，适合在空间受限的电子设备中使用。
　　在噪声性能方面，KTK5132E-RTK/P 也表现出色，适合用作低噪声前置放大器。其较低的噪声系数可确保在微弱信号环境下仍能保持较高的信号完整性，这在无线通信和音频放大应用中尤为重要。此外，该晶体管的功耗较低，有助于提高系统能效，延长设备续航时间。
　　由于其良好的温度特性和较高的可靠性，KTK5132E-RTK/P 在工业控制、家用电器、汽车电子等众多领域均有广泛应用。它在高频放大、开关电路和信号处理等方面都能提供稳定的性能。

应用

KTK5132E-RTK/P 主要用于射频（RF）和中频（IF）放大器、音频前置放大器、低噪声放大器、高频振荡器以及开关电路等应用场景。它在无线通信设备、收音机、电视机、蓝牙模块、无线传感器网络、遥控器等电子产品中都有广泛使用。此外，该晶体管也常用于各类消费类电子产品和工业控制设备中的信号放大和处理电路。