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SS05100FL 发布时间 时间:2025/5/28 17:04:30 查看 阅读:11

SS05100FL是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用TO-252封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高效率应用中表现出色。
  该MOSFET的设计使其能够承受较高的漏源电压,并且在高温环境下仍然保持稳定的性能。其低栅极电荷特性使得它特别适合高频应用,同时具备良好的热稳定性和耐用性。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻(Rds(on)):2.4Ω(典型值,Vgs=10V时)
  栅极阈值电压:2V~4V
  总栅极电荷:6nC
  开关时间:ton=18ns,toff=35ns
  工作结温范围:-55℃~150℃

特性

SS05100FL具有以下主要特性:
  1. 高击穿电压能力,能够适应高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻设计,减少功率损耗并提升系统效率。
  3. 快速的开关速度,支持高频电路设计。
  4. 热稳定性强,适用于严苛的工作环境。
  5. 小型化封装,便于PCB布局和空间优化。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

SS05100FL的应用领域包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 直流/直流转换器中的同步整流元件。
  3. 电机控制与驱动电路中的功率级开关。
  4. 各种负载切换和保护电路。
  5. LED驱动电路中的电流调节组件。
  6. 充电器和适配器中的高效开关元件。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FQP50N06L

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