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2SD1949T106R 发布时间 时间:2025/5/22 14:50:12 查看 阅读:14

2SD1949T106R是一种NPN型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于音频放大器、开关电路以及各类电子设备中。该型号属于东芝(Toshiba)公司生产的半导体器件系列,具有高增益、低噪声的特点,适用于需要高性能和稳定性的应用场合。
  此晶体管通常被用作小信号放大或开关用途,能够在较宽的工作频率范围内保持良好的性能表现。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):80V
  集电极电流(IC):3A
  直流电流增益(hFE):100~500
  功率耗散(Ptot):75W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  过渡频率(fT):300MHz
  噪声系数:1.5dB
  封装形式:TO-252

特性

2SD1949T106R晶体管以其出色的电气特性和可靠性著称。其主要特点包括高电流增益,这使得它在低输入信号水平下也能提供显著的输出放大效果。此外,该器件具备较低的噪声系数,在音频和其他对信号清晰度要求较高的应用中表现出色。
  另外,它拥有较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO),确保了在高压环境下工作的安全性。同时,该晶体管还具有较宽的工作温度范围,使其不仅能在室温条件下正常运行,还能适应极端气候条件下的使用需求。
  由于采用了先进的制造工艺,这款晶体管在高频应用中的表现也非常优异,能够满足现代电子设备对于速度和效率的要求。

应用

2SD1949T106R晶体管适用于多种电子电路设计场景,包括但不限于音频放大器中的前置放大级、功率放大器的驱动级等。它还可以作为开关元件用于电源管理电路中,例如DC-DC转换器或者PWM控制器。
  此外,在通信领域内,该器件可以用来构建射频前端模块中的混频器、振荡器等功能单元。凭借其优良的性能指标,这种晶体管成为了众多工程师进行产品开发时的理想选择。

替代型号

2SD1949T, 2SC1949

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2SD1949T106R参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 15mA,150mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)180 @ 10mA,3V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换250MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SD1949T106R-ND2SD1949T106RTR