CGHV14250 时间：2025/9/11 7:48:45 阅读：16

CGHV14250是一款高功率横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，专为射频（RF）功率放大应用设计。它由Cree（现为Wolfspeed）公司制造，适用于从1.8 GHz到2.7 GHz的广泛频率范围，广泛应用于蜂窝基站、无线基础设施、广播系统和其他高功率射频系统中。该器件采用先进的硅基LDMOS技术制造，具有优异的热稳定性和高效率，能够提供高达250 W的连续波（CW）输出功率。

参数

类型：射频功率LDMOS晶体管
　　制造商：Cree / Wolfspeed
　　型号：CGHV14250
　　频率范围：1.8 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率（CW）：250 W
　　增益：约18 dB（典型值）
　　效率：约65%（典型值）
　　工作电压：28 V（典型）
　　封装类型：陶瓷金属封装（CM-Pak）
　　输入阻抗：50 Ω（标称）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

CGHV14250具备多项先进特性，使其成为高性能射频功率放大器的理想选择。首先，它基于LDMOS工艺技术，具有出色的线性度和高增益，可在宽频率范围内保持稳定性能。该器件的250 W输出功率能力使其适用于高功率发射设备，同时具备较高的能量转换效率，有助于降低系统功耗和散热需求。此外，CGHV14250采用高热导性封装材料，确保在高功率运行时具备良好的散热性能，从而提高可靠性和寿命。
　　该晶体管还具有良好的热稳定性，在高功率和高温环境下仍能维持稳定的工作状态。其输入匹配设计优化为50 Ω系统，简化了外部匹配电路的设计并降低了插入损耗。内置的静电放电（ESD）保护机制提高了器件在实际应用中的抗干扰能力。此外，CGHV14250在1.8 GHz至2.7 GHz频段内的宽频带特性，使其适用于多种无线通信标准，如GSM、CDMA、WCDMA、LTE等。

应用

CGHV14250广泛应用于各类射频功率放大器系统中，特别是在蜂窝通信基站（如4G LTE和5G前传系统）、无线基础设施设备、广播发射机、工业射频加热系统、测试测量设备以及军用通信设备中。由于其宽频带特性和高输出功率，该器件也适用于多频段或多标准基站设计，能够在不同通信协议之间灵活切换。此外，该器件还可用于射频能量应用，如射频烹饪、干燥和等离子体生成等工业和医疗领域。