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AM27512DMB 发布时间 时间:2025/9/30 1:49:50 查看 阅读:12

AM27512DMB是一款由Texas Instruments(TI)生产的512K位(64K x 8)高性能CMOS紫外线可擦除可编程只读存储器(UV-EPROM)。该器件属于AM27C系列的高密度EPROM产品,广泛应用于需要非易失性程序或数据存储的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。AM27512DMB采用标准的32引脚DIP(双列直插封装),便于在传统电路板上进行安装和更换,并支持通过紫外线照射实现芯片内容的完全擦除,随后可通过编程器重新写入新的数据或程序。该器件的工作电压为5V,兼容TTL电平,适用于多种微处理器和微控制器系统的接口需求。其内部结构组织为65,536字节,每个地址单元存储8位数据,总容量为524,288位,即512K位。AM27512DMB具备高可靠性与长期数据保持能力,在未受物理损坏和环境因素影响的情况下,数据可保存长达10年以上。此外,该芯片设计有可靠的写保护机制,防止意外编程或数据修改,确保系统运行的稳定性。

参数

制造商:Texas Instruments
  产品系列:AM27C
  存储容量:512 Kbit
  存储器类型:EPROM
  存储器格式:64K x 8
  工作电压:4.5V ~ 5.5V
  访问时间:120 ns
  封装类型:32-DIP
  引脚数:32
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  编程电压:12.5V ± 0.5V
  接口类型:并行
  擦除方式:紫外线擦除
  封装宽度:0.600"(15.24mm)
  安装类型:通孔(Through Hole)

特性

AM27512DMB具备出色的电气性能和稳定性,其快速访问时间为120纳秒,能够满足大多数中高速微处理器系统的时序要求,确保指令执行的流畅性和响应速度。该器件采用先进的CMOS工艺制造,不仅提高了集成度,还显著降低了功耗,尤其在待机模式下电流消耗极低,典型静态电流仅为35mA,动态工作电流也控制在合理的范围内,适合对功耗敏感的应用场景。
  该芯片具有优异的抗干扰能力和温度适应性,可在工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)内稳定运行,适用于恶劣的工业环境或户外设备。其内部设有噪声抑制电路和输入滤波器,有效防止因电源波动或电磁干扰引起的误操作。此外,AM27512DMB支持标准的JEDEC EPROM编程规范,兼容市面上大多数通用编程器,用户可方便地进行批量烧录和验证操作。
  为了提高数据安全性,该器件配备芯片使能(CE)和输出使能(OE)双重控制信号,允许系统精确控制存储器的激活与输出状态,避免总线冲突。当OE信号无效时,输出端自动进入高阻态,便于多芯片共享数据总线。编程过程中需施加12.5V的Vpp编程电压,以确保可靠写入;而在正常读取模式下则仅需5V供电,简化了电源设计。
  AM27512DMB的封装符合行业标准32引脚DIP形式,便于手工焊接、调试和返修,特别适用于原型开发、小批量生产和教育实验等场合。其窗口式陶瓷封装设计允许在多次擦除和重编程之间重复使用,只要紫外线照射时间足够(通常为15~20分钟),即可彻底清除原有数据。这种可重复编程的特性使其在固件开发和调试阶段极具价值。

应用

AM27512DMB常用于需要长期保存程序代码且不频繁更新的嵌入式系统中,例如工业自动化控制器、PLC模块、数控机床和测量仪器等设备中作为固件存储介质。由于其非易失性和可重复编程特性,该芯片也被广泛应用于通信基础设施中的协议转换器、调制解调器和网络交换设备,用于存放启动代码或配置信息。
  在消费类电子产品领域,AM27512DMB可用于老式游戏机、电子乐器和家用电器的主控程序存储,尤其是在无法使用现代闪存技术的复古设计或维护项目中仍具实用价值。此外,在军事和航空航天领域,部分老旧但仍在服役的系统依赖此类经过长期验证的EP-ROM器件,因其可靠性高、抗辐射能力强而被继续采用。
  教育和科研机构也常用AM27512DMB进行计算机体系结构、数字逻辑设计和嵌入式系统教学实验,帮助学生理解存储器工作原理和编程过程。由于其接口简单、时序清晰,非常适合初学者进行硬件层面的学习与实践。同时,在维修和替换旧设备时,该型号常作为原始设备制造商(OEM)指定的升级或替代方案之一。

替代型号

AM27C512-120DC/883B
  AM27C512-120JI
  MBM27C512-12Q/12XN

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