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VJ1812A300JBFAT4X 发布时间 时间:2025/6/5 19:30:16 查看 阅读:9

VJ1812A300JBFAT4X 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高频功率电子器件,属于 Vishay 公司的 GaN 场效应晶体管系列。该型号专为高效率和高速开关应用而设计,能够显著提升功率转换系统的性能。
  其采用增强型耗尽模式结构,并支持低导通电阻以减少功率损耗,适用于 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC、无线充电和电机驱动等领域。此外,该产品还具有出色的热稳定性和抗电磁干扰能力。

参数

型号:VJ1812A300JBFAT4X
  类型:GaN 场效应晶体管 (FET)
  工作电压:650 V
  导通电阻:30 mΩ
  最大电流:20 A
  栅极电荷:70 nC
  封装形式:TO-247-4L
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  开关频率:高达 10 MHz

特性

VJ1812A300JBFAT4X 的主要特点是其采用了先进的氮化镓材料,从而实现了更低的导通电阻和更快的开关速度。与传统的硅基 MOSFET 相比,这种 GaN 器件可将功率损耗降低约 50%,同时提高系统效率至 98% 以上。
  此外,它具有极低的寄生电容和电感,这使得它在高频条件下表现出色。内置的保护功能包括过流保护和短路耐受能力,使其更加可靠耐用。由于其卓越的散热性能,该器件非常适合紧凑型设计的应用场景。

应用

VJ1812A300JBFAT4X 广泛应用于需要高效能和高频率的电力电子领域,例如:
  - 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器
  - 图腾柱无桥 PFC 电路
  - 高频 DC-DC 变换器
  - 工业级电机驱动控制
  - 新能源汽车中的车载充电器 (OBC) 和逆变器
  - 快速无线充电模块
  该芯片特别适合那些要求小尺寸、轻重量以及高效率的设计。

替代型号

VJ1812A300JBFAE3X, VJ1812A300JBFAT3X

VJ1812A300JBFAT4X参数

  • 标准包装1,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列VJ
  • 电容30pF
  • 电压 - 额定2000V(2kV)
  • 容差±5%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用Boardflex 敏感
  • 额定值-
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 尺寸/尺寸0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.086"(2.18mm)
  • 引线间隔-
  • 特点软端子,高电压
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-