时间：2025/6/4 18:08:33
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IRF630P 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），属于 HEXFET 系列。该器件采用 TO-247 封装，广泛应用于需要高效率和低导通损耗的开关应用中。其典型特性包括较低的导通电阻、较高的击穿电压以及良好的热性能。
IRF630P 主要用于电源管理、电机驱动、逆变器和其他工业控制场景，适用于高电压环境下的开关操作。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：9A
峰值脉冲漏极电流：188A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值）：0.55Ω
总功耗：130W
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
IRF630P 的主要特性如下：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻设计，能够减少功率损耗。
3. 快速开关速度，有助于提高系统效率。
4. 较高的电流承载能力，满足多种负载需求。
5. 可靠性高，能够在极端温度条件下正常工作。
6. 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能。
IRF630P 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换电路。
2. 工业自动化设备中的电机驱动与控制。
3. 逆变器及 UPS 不间断电源中的高频开关元件。
4. 电动车充电系统中的功率管理模块。
5. 各种高压电子设备中的保护电路或切换电路。
由于其出色的电气特性和可靠性，IRF630P 成为许多高压应用的理想选择。
IRF630N, IRF630BP
