时间：2025/6/9 15:18:33
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VI-912598B(V300A9M550BL)是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效稳定运行。
该型号为N沟道增强型场效应晶体管，适用于各种工业和消费类电子产品中，以实现对电流的精准控制和高效转换。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：55A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：265W
结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高击穿电压确保在高压环境下的可靠性和安全性。
3. 快速开关速度，支持高频应用，减少开关损耗。
4. 具备出色的热性能，能够承受高负载条件。
5. 优化的栅极电荷设计，简化驱动电路设计并提高效率。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，适合多种应用场景。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动中的功率级控制。
3. 负载开关及保护电路。
4. DC/DC转换器中的功率开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理单元。
IRFZ44N
STP55NF06
FDP55N06L
