时间：2025/4/28 14:30:27
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2N7002KDW 是一款 N 沟道增强型小信号 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于各种低功率开关和放大电路中。2N7002KDW 特别适合于需要高频率、快速切换的场景，例如音频设备、计算机外设以及通信设备等。
该器件属于 Vishay Siliconix 系列，具有极低的栅极电荷和输入电容，确保其在高频下的出色表现。它的封装形式为 SOT-23 小型表面贴装，非常适合用于空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：300mA
脉冲漏极电流：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（典型值，当 Vgs=10V 时）
功耗：400mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
2N7002KDW 的主要特点包括：
1. 高速开关性能，适用于高频应用。
2. 极低的栅极电荷和输入电容，使得驱动更容易。
3. 具备反向传输电容 (Crss) 低的特点，有助于减少开关损耗。
4. 工作温度范围宽广，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 封装小巧，易于集成到紧凑型设计中。
该型号的 MOSFET 在以下领域有着广泛的应用：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 便携式电子设备中的负载开关。
3. 电池保护电路中的过流保护。
4. 各种逻辑电平兼容的数字控制电路。
5. 脉宽调制（PWM）驱动电路。
6. 数据通信接口保护与控制。
7. 音频设备中的静音电路或信号切换电路。
2N7002, BSS138, BS170
