时间：2025/3/28 9:11:03
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VHP203JTP120K50SB 是一款高性能的高压功率MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域，能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。其设计注重低导通电阻和快速开关特性，从而减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：0.06Ω
栅极电荷：180nC
总电容：300pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
具备高耐压能力，能够在极端条件下保持稳定运行。同时，其低导通电阻显著降低了传导损耗，提升了整体能效。该器件还具有优异的热性能，使其能够承受大电流负载并有效散热。此外，快速的开关速度和低栅极电荷进一步减少了开关损耗，适合高频应用场合。
这款功率MOSFET的设计符合RoHS标准，确保环保合规性。其坚固的结构和卓越的电气性能，使得它成为许多高可靠性应用的理想选择。
广泛典型应用包括但不限于：开关模式电源(SMPS)中的主开关管、逆变器中的功率级元件、电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电机驱动电路、太阳能逆变器中的功率转换模块以及不间断电源(UPS)耐压和大电流处理能力，它也适用于各种重型设备和工业自动化系统中的功率控制单元。
VHP203JTP120K50SA, IRG4PC30KD, STW120N50DM2
