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GJM0335C1H5R6WB01D 发布时间 时间:2025/6/30 22:26:55 查看 阅读:6

GJM0335C1H5R6WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动和其他需要高效开关和低功耗的应用场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特性,广泛应用于工业控制、消费电子和汽车电子等领域。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  漏源极电压(Vds):30V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):0.4mΩ
  栅极电荷(Qg):95nC
  最大工作结温(Tjmax):175℃
  封装形式:TO-247

特性

GJM0335C1H5R6WB01D具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关性能,有助于提高系统效率并减少电磁干扰(EMI)。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于焊接和集成到各种电路中。
  6. 优异的雪崩能力和抗静电性能,确保器件在严苛条件下的可靠性。

应用

该型号芯片适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关管。
  2. 直流无刷电机(BLDC)驱动器的逆变桥臂。
  3. 太阳能微逆变器和储能系统的功率转换模块。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  5. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)以及电动助力转向系统(EPS)。
  6. LED驱动电源及其他需要高效功率管理的场合。

替代型号

GJM0335C1H5R6WB01D没有直接完全兼容的替代型号,但可根据具体需求选择类似的N-Channel MOSFET,如IRFP2907、IXFN180N04T2或STP120NF06。

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GJM0335C1H5R6WB01D参数

  • 现有数量13,900现货
  • 价格1 : ¥1.11000剪切带(CT)15,000 : ¥0.16171卷带(TR)
  • 系列GJM
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容5.6 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-