时间：2025/8/5 22:24:44
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IXYS48N50U2 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换、电机控制和工业自动化等高功率电子系统中。该器件采用先进的平面 MOS 技术制造，具有低导通电阻、高效率和高可靠性等优点。IXYS48N50U2 的最大漏极电压为 500V，最大漏极电流可达 48A，适用于需要高电压和大电流能力的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vdss)：500V
最大漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：0.22Ω（典型值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：3V ~ 5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-247
IXYS48N50U2 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在导通状态下功耗更低，提高了整体系统的效率。此外，该器件具有优异的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级应用。该 MOSFET 还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。其高击穿电压能力（500V）使其适用于高压电源系统，如开关电源、逆变器和电机驱动器。
此外，IXYS48N50U2 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该器件还具备良好的短路耐受能力，增强了系统在异常情况下的稳定性。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的 10V 和 15V 驱动电路，便于集成到各种功率电子系统中。
IXYS48N50U2 广泛应用于多种高功率电子设备中，例如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器和电焊机等。在开关电源中，该 MOSFET 可用于主开关拓扑，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，它可用于 PWM 控制和能量回馈电路，提供稳定的功率输出。此外，该器件也适用于各种 DC-AC 和 DC-DC 转换器设计，满足不同功率等级的需求。
STP48N50UFD, FCP48N50U
